100V N沟道TrenchFET
发布时间:2011/3/7 11:59:47 访问次数:910
SiR870DP和Si4190DY经过了100%的Rg和UIS测试。MOSFET符合IEC 61249-2-21的无卤素规定，并符合RoHS指令2002/95/EC。
器件规格表:
|
型号 |
SiR870DP |
Si4190DY |
|
封装 |
PowerPAK SO-8 |
SO-8 |
|
VDS (V) |
100 |
100 |
|
VGS (V) |
± 20 |
± 20 |
|
RDS(ON) @ 10 V (mΩ) |
6 |
8.8 |
|
RDS(ON) @ 7.5 V (mΩ) |
6.4 |
|
|
RDS(ON) @ 4.5 V (mΩ) |
7.8 |
12 |
|
FOM @ 10 V (mΩ-nC) |
334 |
340 |
|
FOM @ 7.5 V (mΩ-nC) |
272 |
|
|
FOM @ 4.5 V (mΩ-nC) |
208 |
220 |
新款MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十六周。
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款新的100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型ThunderFET®技术，在具有4.5V电压等级的100V MOSFET中具有业内最低的导通电阻。此外，该器件的导通电阻与栅极电荷乘积也是同类产品中最佳的，该数值是衡量DC/DC转换器应用中MOSFET性能的优值系数(FOM)。
SiR870DP在4.5V电压下的7.8mΩ导通电阻是业内最低的。这款MOSFET在10V电压下的导通电阻也非常低，仅有6mΩ。对于设计者来说，更低的器件导通电阻意味着更低的传导损耗，同时也使节能的绿色产品减少功耗。
SiR870DP在4.5V电压下具有低至208 mΩ-nC的FOM，从而能在更高频率和开关应用中降低传导和开关损耗。对于采用SO-8封装器件的设计者，Si4190DY在10V和4.5V电压下的导通电阻为8.8mΩ和12mΩ，在10V和4.5V下的FOM分别为340 mΩ-nC和220 mΩ-nC，均达到业内最佳水准。
SiR870DP和Si4190DY经过了100%的Rg和UIS测试。MOSFET符合IEC 61249-2-21的无卤素规定，并符合RoHS指令2002/95/EC。
器件规格表:
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型号 |
SiR870DP |
Si4190DY |
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封装 |
PowerPAK SO-8 |
SO-8 |
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VDS (V) |
100 |
100 |
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VGS (V) |
± 20 |
± 20 |
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RDS(ON) @ 10 V (mΩ) |
6 |
8.8 |
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RDS(ON) @ 7.5 V (mΩ) |
6.4 |
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RDS(ON) @ 4.5 V (mΩ) |
7.8 |
12 |
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FOM @ 10 V (mΩ-nC) |
334 |
340 |
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FOM @ 7.5 V (mΩ-nC) |
272 |
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FOM @ 4.5 V (mΩ-nC) |
208 |
220 |
新款MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十六周。
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款新的100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型ThunderFET®技术，在具有4.5V电压等级的100V MOSFET中具有业内最低的导通电阻。此外，该器件的导通电阻与栅极电荷乘积也是同类产品中最佳的，该数值是衡量DC/DC转换器应用中MOSFET性能的优值系数(FOM)。
SiR870DP在4.5V电压下的7.8mΩ导通电阻是业内最低的。这款MOSFET在10V电压下的导通电阻也非常低，仅有6mΩ。对于设计者来说，更低的器件导通电阻意味着更低的传导损耗，同时也使节能的绿色产品减少功耗。
SiR870DP在4.5V电压下具有低至208 mΩ-nC的FOM，从而能在更高频率和开关应用中降低传导和开关损耗。对于采用SO-8封装器件的设计者，Si4190DY在10V和4.5V电压下的导通电阻为8.8mΩ和12mΩ，在10V和4.5V下的FOM分别为340 mΩ-nC和220 mΩ-nC，均达到业内最佳水准。
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