①硅光电池。硅光电池由于受光面积大，光能利用率高，频率响应较高（10-5s），并且使用时不需另加偏压，可使读数头结构紧凑，因此是一种广为采用的接收组件。利用硅光电池，尤其是四象限硅光电池，可实现光栅信号的位置细分。它的缺点是输出电压和电流灵敏度都较低。

　　使用中应选择合适的负载电阻，以取得最大的不失真输出。当灯光亮度不变时，增大负载电阻将使输出失真，即输出波形出现削顶；降低负载电阻则又使输出信号减小。灯光亮度大时，最合适的负载电阻应取较小值；反之，灯光亮度小时，负载电阻应取较大值。硅光电池在选择合适的负载电阻后，最小不失真输出的电压变化不大，这是它的一大特征。

　　硅光电池尺寸的规格有10×200mm(2)、10×10mm(2)、5×10mm(2)、5×5 mm(2)、2.5×5mm(2)，四极硅光电池为10×10 mm(2)（见图）。

　　②光电二极管和光电三极管的材料有锗和硅两种。锗管灵敏度较高，但稳定性和频率响应较差；硅管稳定性好，频率响应较高。为了得到最大不失真输出，应适当选择偏压和负载电阻。硅光电二极管的灵敏度与硅光电池接近或比它稍高，频率响应比硅光电池高一个数量级（10(-6)s），常用于频率大于50 khz的场合。光电三极管有放大作用，灵敏度高，应用较普遍，但稳定性和频率响应比二极管稍差。光电二极管和三极管的受光面积一般只有1～2 2m。特别适于在分光式读数头中作小面积光电接收组件。

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