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智能像素集成技术SEED列1车光纤耦合

发布时间:2008/12/5 0:00:00 访问次数:388

  4×4光互连cmos seed智能像素中需要将1×20的光纤列阵与1×20 seed列阵对准,我们开展了列阵光纤的制备 及与seed器件的耦合方面的研究,利用硅v形槽技术将多模光纤安置在1×20的硅v形槽中,组成1×20的光纤列阵 。使用的光纤为多模光纤,芯径为62.5μm,包层直径为125μm,要将直径为12.5μm的光纤全部埋进v形槽中,槽 深需170μm。槽间距设计为300μm,与4×4 cm0s seed中seed器件的间距一致。

  在腐蚀出v形槽以后,将槽面蒸金,从槽的末端可形成一个反射面,从该面反射的光与水平面成70°夹角,利用 该面作反射镜将光纤中的光耦合进seed器件中。我们测量了光从v形槽端面反射时的光损耗,使用的光源为840 nm 的半导体激光器,工作电流为30 ma,输出光功率为4mw;直接将光耦合进光纤中,反射率为0.6左右,反射损耗大约在2db左右,结果如表所示。


表 硅v形槽端面反射特性

  欢迎转载,信息来源维库电子市场网(www.dzsc.com)



  4×4光互连cmos seed智能像素中需要将1×20的光纤列阵与1×20 seed列阵对准,我们开展了列阵光纤的制备 及与seed器件的耦合方面的研究,利用硅v形槽技术将多模光纤安置在1×20的硅v形槽中,组成1×20的光纤列阵 。使用的光纤为多模光纤,芯径为62.5μm,包层直径为125μm,要将直径为12.5μm的光纤全部埋进v形槽中,槽 深需170μm。槽间距设计为300μm,与4×4 cm0s seed中seed器件的间距一致。

  在腐蚀出v形槽以后,将槽面蒸金,从槽的末端可形成一个反射面,从该面反射的光与水平面成70°夹角,利用 该面作反射镜将光纤中的光耦合进seed器件中。我们测量了光从v形槽端面反射时的光损耗,使用的光源为840 nm 的半导体激光器,工作电流为30 ma,输出光功率为4mw;直接将光耦合进光纤中,反射率为0.6左右,反射损耗大约在2db左右,结果如表所示。


表 硅v形槽端面反射特性

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