图1中介绍了一种在轻掺杂的p型衬底（na=6x10¹²cm^-3）上采用1pm nm0s工艺制作的横向pin光电二极管［59～60］。

　　图1 nmos集成横向pin光电二极管

　　由于pin结构是直接制作在高电阻率的衬底上，因而i层的厚度可以和51材料中870 nm光注入的吸收深度（20 gm）相比拟。因而该pin探测器的量子效率较高，在未增加抗反射涂层，5 v反向偏压条件下，可测得670 nm波长下响应度为0.32 a/w，870 nm波长下的响应度为6.45 a/w，换算成外部量子效率可达到67%。而且由于衬底的轻掺杂，它的反向击穿电压可以超过60v，意味着获得厚度更大的i层。在测量该光电二极管的带宽的时候，在探测器上施加波长850 nm、脉宽200 fs、间距13.2 ns（15 mhz）的近似delta函数光脉冲信号，通过测量探测器对此时域上梳状排列脉冲序列响应的光谱内容，即可测算探测器的频响特性。通过这种方法可得到此探测器3 db带宽约为1.3 ghz。

　　在此oeic中，nmos晶体管用0.8 gm自对准硅栅工艺制作在一个p阱内，制作过程中采用标准的locos隔离工艺，p阱掺杂浓度约为1.2×10¹⁶cm^-3。

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