硅基电光调制器分类
发布时间:2008/12/3 0:00:00 访问次数:650
从电学结构分，可分为
（1）pin结构：通过pin［15］结构的正偏或反偏来实现载流子的注入或耗尽。其特点是制作工艺较简单，集成度差，响应频率较低，从几百khz到几mhz。如果截面做得小，则调制频率可达几十兆赫兹甚至更高。其结构如图1所示。
图1 pin结构调制臂截面
（2）双极场效应管结构［16］（bmfet）：通过对端电压的控制来实现载流子的注入或耗尽。工艺较pin复杂，响应频率较高，从几mhz到几十mhz。其截面示意如图2所示。
图2 bmfet结构调制器调制臂截面示意图
（3）金属－氧化物－半导体结构［17］（mos）：通过对栅电压的控制来实现载流子的注入或耗尽。制作工艺较复杂，器件尺寸较长，厘米量级，偏振相关性较大。调制频率高，超过16hz。其截面示意图如图3所示。
图3 mos结构调制器调制臂截面
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从电学结构分，可分为
（1）pin结构：通过pin［15］结构的正偏或反偏来实现载流子的注入或耗尽。其特点是制作工艺较简单，集成度差，响应频率较低，从几百khz到几mhz。如果截面做得小，则调制频率可达几十兆赫兹甚至更高。其结构如图1所示。
图1 pin结构调制臂截面
（2）双极场效应管结构［16］（bmfet）：通过对端电压的控制来实现载流子的注入或耗尽。工艺较pin复杂，响应频率较高，从几mhz到几十mhz。其截面示意如图2所示。
图2 bmfet结构调制器调制臂截面示意图
（3）金属－氧化物－半导体结构［17］（mos）：通过对栅电压的控制来实现载流子的注入或耗尽。制作工艺较复杂，器件尺寸较长，厘米量级，偏振相关性较大。调制频率高，超过16hz。其截面示意图如图3所示。
图3 mos结构调制器调制臂截面
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