QDR-II SRAM是用于高速、高带宽操作的理想存储器，这种在兼顾了不同兼容性以及高性能的存储器件蕴育着存储器市场的下一次革命。本文详细介绍了QDR与QDR-II在工作频率和架构上的差异、QDR-II的功能及特性、两种端接实现方法及时钟选择策略。

　　四倍数据速率(Quad Data Rate，QDR)SRAM技术由赛普拉斯、瑞萨、IDT等公司共同定义并开，并主要面向高性能通信应用。新型QDR-II架构是对该联合开发小组研制的QDR系列高性能网络和通信SRAM产品的一个补充。

　　目前，人们对高带宽存储器的需求增长迅猛，对于这些高速(数据速率高于200MHz)网络路由器、集线器和交换机来说，现行的存储器标准正在成为瓶颈。高带宽存储器是这些系统的要求之一，QDR同步流水线突发数据存储器是专为满足这些要求而设计的。QDR/QDR-II SRAM不仅极大地增加了系统存储器带宽，而且还可用作面向这些高性能网络系统中的查找表、链接列表和控制器缓冲存储器的存储器解决方案。
                  
    QDR与QDR-II的差异

　　QDR-II是专为满足具有高数据速率要求的网络应用而设计的SRAM。表1总结了QDR-II的主要性能特点。

　　QDR-II架构是在最初的QDR规范的基础上发展而来的，可在非常高的工作频率下提供更高的带宽，并简化数据传送。

　　QDR-II与QDR架构的主要差异包括增加了DLL，以及额外的半个周期延迟(最初的QDR为1个周期，QDR-II为1.5个周期)。这些变化的结果是使时钟至数据有效时间Tco在167MHz的频率条件下从3.0ns缩减至0.45ns，使数据有效窗口增大，从而提高系统时序性能。另一个结果是出现一个用于实现可靠数据获取的源同步回送时钟(Echo Clock)。

　　QDR-II的功能
                  
    QDR-II架构包括两个用于对存储器阵列进行存取的独立端口，分别为一个读端口和一个写端口，利用一根公用地址总线来实现对每个端口的访问。QDR-II采用了两个输入时钟(K和K#)，在两个时钟的上升沿锁存输入数据。一对可选的输入时钟(C和C#)负责控制输出数据寄存器，并决定何时从器件中读出数据。

　　控制信号包括WPS#(写端口选择)、RPS#(读端口选择)和BWSx#(字节写选择)。置位(asserting)WPS#将启动一个写操作，置位RPS#将启动一个读操作，BWSx#用来执行字节选择写操作。虽然2脉冲串和4脉冲串QDR-II采用相同的控制信号，但这两类器件的地址速率和写数据是不同的。

　　2脉冲串

　　在一个2脉冲串器件(图1)中，一个写操作和一个读操作可以在相同的时钟周期启动。由于写端口和读端口共用相同的地址总线，因此2脉冲串QDR-II采用的是一种双倍地址速率(double-address-rate)操作。读存取和写存取分别通过在K脉冲的上升沿置位RPS#和WPS#的方法来启动。读地址被锁存于K脉冲的相同上升沿，而写地址被锁存于K#脉冲的上升沿。两个写数据字在相同的K和K#脉冲上升沿输入SRAM。两个读数据字则在K脉冲上升沿之后的一个半周期从SRAM输出。

　　4脉冲串

　　在一个4脉冲串器件(图2)中，在K时钟脉冲的每个上升沿启动一个读存取或写存取。写存取是通过在K脉冲的上升沿置位WPS#来完成的。写地址被锁存于相同的K时钟脉冲上升沿。从K脉冲的后一个上升沿开始，4个连续的数据字被锁存于K和K#脉冲的上升沿。读存取是通过在K脉冲的上升沿置位RPS#来完成的。读地址被锁存于相同的K时钟脉冲上升沿。在下一个K时钟脉冲上升沿之后，通过将C#脉冲(而在单时钟模式中则是K#脉冲)的上升沿用作时钟基准的方法来在输出数据端口上输出4个数据字中的第一个。其余的3个数据字则在随后的3个C和C#脉冲(在单时钟模式中则为K和K#脉冲)的上升沿输出。数据信号的有效脉冲沿与CQ和CQ#回送时钟脉冲的上升沿严格匹配。
                    

     对于单时钟模式中的操作，C和C#时钟输入需要从外部连接至Vdd。选择单时钟模式还是双时钟模式应在启动任何存取操作之前确定。

　　主要特性分析

　　1. 输出阻抗匹配电路

　　阻抗匹配电路使得用户能够设定QDR-II SRAM的输出驱动器的强度。阻抗匹配是通过在ZQ引脚和地之间连接一个电阻器的方法来实现的，ZQ电阻器的阻值应为所需输出阻抗的5倍(在25Ω至70Ω之间)，阻抗匹配电路的精确度约为±15%。该特点使得用户