写周期的基本思路如图所示。因为这次是写的方向，所以oe保持高电平，由主机方面赋予数据（dq0～dq1）。

　　图 闪速存储器的写操作

　　当we和ce双方都为低电平时，进行写操作的地址被提取到闪速存储器内部。而在we和瓦双方都变成低电平后，在任何一方上升为高电平阶段（由低电平到高电平的变化中），数据被提取到闪速存储器内部。通过we进行的写操作称为we写控制；通过cb进行的写操作称为瓦写控制。一般情况下利用we写控制的较多，所以图示的也是we写控制的过程。

　　写操作时必须要注意的是地址及数据等各信号的建立时间。进行读操作时，只要等待地址、ce、oe确定．从目的地址中就可以发出数据，因此对于确定的顺序就没什么必要给予注意。但是在写操作的情况下，如果不考虑地址、数据以及控制信号的时序，将会发生写人到错误的地址中或者没有正确接收数据的情况。

　　需要特别注意的是建立时间。如图所示，既需要在we下降之前确定ce及地址，又需要在we上升的一定时间之前确定数据。

　　详细的数值我们以后再进行说明。例如am29f010-55的地址及ce的建立时间（分别为tas、tcs）最小都为0。建立时间最小为0可能有些难以理解，解释为关键不能为负数可能比较容易理解。如果“的建立时间为负，即面是在以后成为低电平的，这样就变成了面写控制。所以说，we写控制的最小值为0是理所当然的。

　　数据在we上升之前被确定，am29f010-55最小需要20ns（tds）。也就是说。在we上升至少20ns之前，数据就必须被确定。

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