场效应晶体管（field effect transistor缩写(fet)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而fet仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（10⁸～10⁹w功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

　　场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（jfet）因有两个pn结而得名，绝缘栅型场效应管（jgfet）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是mos场效应管，简称mos管（即金属-氧化物-半导体场效应管mosfet）；此外还有pmos、nmos和vmos功率场效应管，以及最近刚问世的πmos场效应管、vmos功率模块等。

　　按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和p沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。

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