对开关管的要求是快速开通、快速关断，只有快速地进行状态转换才符合pwm dc/dc转换器的工作需要，才会使开关过程中的交叠损耗减小。 pwm dc/dc转换器常用的开关管有两种：一种是功率场效应管mosfet；另一种是绝缘栅双极晶体管igbt。

　　n型沟道mosfet的电路图形符号及其结构如图所示。这是一种场控器件，各电极的作用类似于npn型晶体管。漏极d相当于集电极c，源极s相当 于发射极e，栅极g相当于基极b。最显着的区别是：mosfet管是电压控制式开关器件，栅一源之间只需几伏的电压（不需要静态电流），就可以控 制它的输出电压和输出电流。

　　如图 n型沟道mosfet的电路图形符号及其结构

　　功率mosfet的结构，是由大量细小的元包（如105个/cm2）（mosfet单体）并联组成的，元包结构如图所示。采用新工艺的纵向（垂直）导电沟道型可以减小通态电阻。源极和漏极在沟道两侧扩散而成，用二氧化硅使栅极与沟道绝缘。

　　场控的原理是：栅极g与源极s之间外加控制电压时，产生电场控制，沟道变成与源极s和漏极d同样类型的半导体，就消去了pn结，使漏极d和源极s之间可以通过大电流。

　　晶体管部分多子器件，没有pn结的存储效应，开关速度快。

　　晶体管部分电流的方向，取决于外电路，正、负方向都可以通过电流。

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