开关电源转换器高性能碳化硅（SiC）功率半导体器件
发布时间:2008/10/6 0:00:00 访问次数:480
进入21世纪，开关电源技术将会有更大的发展，这需要我国电力电子、电源、通信、器件、材料等工业和学术各界努力协作，沿着下述方向，开发与开关电源相关的产品和技术。
碳化硅sic是功率半导体器件晶片的理想材料，其优点是禁带宽，工作温度高（可达600℃）、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、dni结耐压高等，有利于制造出耐高温的高频大功率的半导体开关器件，如sic功率mosfet和sic igbt等。
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进入21世纪，开关电源技术将会有更大的发展，这需要我国电力电子、电源、通信、器件、材料等工业和学术各界努力协作，沿着下述方向，开发与开关电源相关的产品和技术。
碳化硅sic是功率半导体器件晶片的理想材料，其优点是禁带宽，工作温度高（可达600℃）、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、dni结耐压高等，有利于制造出耐高温的高频大功率的半导体开关器件，如sic功率mosfet和sic igbt等。
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