前面实验的功率mosfet是漏极损耗15ow的器件。下面，针对大容量的功率mosfet进行实验。

　　这里，使用2sk1522(pd＝250w、vds＝50ov、ids＝50a、ciss＝87oopf、crs＝235pf、ron＝0. 11ωmax；日立制造)，门极输入电容是2sk1379的几倍。

　　实验电路中为观测门极电流ig及漏极电流id的波形，夹紧探头(图1、照片2)。负载电阻因绕线系统中的电阻器可能会产生阻抗振荡，所以并联连接8个3w、200ω的氧化金属薄膜电阻，当用于开关的输人占空比极小不能测定时就会发热．

　　图1 250w功率mosfet的开关特性测定电路

　　图2 功率mosfet的特性测定电路

　　观察驱动电路的特性之前，使用脉冲发生器，研究对门极电阻rg的开关的依赖性。

　　图1是测试电路中，rg＝100ω(脉冲发生器的终端电阻为50ω)时的门极一源极间电压vgs、漏极－源极间电压vds的开关波形。这里为进行直观的比较，实验电路的测定条件固定(脉冲幅度1oμs、时间轴2.5μs/div)。

　　从波形图可知，vgs波形上升很快，高速时fet为on。vds形在vgs的off后延迟1.2μs才off。此时间称为关闭延迟off，是高频开关电路中重要的因素。

　　图3是rg＝100ω时的开关波形。大致的样子发生了变化。on时由于通过信号源阻抗对mosfet的门输人电容进行充放电，所以on时的延迟时间tdon变长。饱和时的vgs波形的上升变慢，off的延迟也变得相当大。漏极电压的(ch2 fall)、tr(ch2， rise)在图面的右上方表示。

　　图3 由2sk1522组成的开关栅极波形和输出电压波形

　　从以上实验可知，功率mosfet进行高速开关时，应尽量用低电阻驱动。另外，tdoff比tdon的延迟与r，有关，应降低驱动电路off时的电阻。

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