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光电二极管的分类

发布时间:2008/8/22 0:00:00 访问次数:623

光电二极管" 英文通常称为 photo-diode

  光电二极管和普通二极管一样,也是由一个pn结组成的半导体器件,也具有单方向导电特性。但是,在电路中不是用它作整流元件,而是通过它把光信号转换成电信号。那么,它是怎样把光信号转换成电信号的呢?大家知道,普通二极管在反向电压作用在处于截止状态,只能流过微弱的反向电流,光电二极管在设计和制作时尽量使pn结的面积相对较大,以便接收入射光。光电二极管是在反向电压作用在工作的,没有光照时,反向电流极其微弱,叫暗电流;有光照时,反向电流迅速增大到几十微安,称为光电流。光的强度约大,反向电流也约大。光的变化引起光电二极管电流变化,这就可以把光信号转换成电信号,成为光电传感器件。

一、根据构造分类

  半导体二极管主要是依*pn结而工作的。与pn结不可分割的点接触型和肖特基型,也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内,根据pn结构造面的特点,把晶体二极管分类如下:

1、点接触型二极管

  点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后,再通过电流法而形成的。因此,其pn结的静电容量小,适用于高频电路。但是,与面结型相比较,点接触型二极管正向特性和反向特性都差,因此,不能使用于大电流和整流。因为构造简单,所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言,它是应用范围较广的类型。

2、键型二极管

  键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。与点接触型相比较,虽然键型二极管的pn结电容量稍有增加,但正向特性特别优良。多作开关用,有时也被应用于检波和电源|稳压器整流(不大于50ma)。在键型二极管中,熔接金丝的二极管有时被称金键型,熔接银丝的二极管有时被称为银键型。

3、合金型二极管

  在n型锗或硅的单晶片上,通过合金铟、铝等金属的方法制作pn结而形成的。正向电压降小,适于大电流整流。因其pn结反向时静电容量大,所以不适于高频检波和高频整流。

4、扩散型二极管

  在高温的p型杂质气体中,加热n型锗或硅的单晶片,使单晶片表面的一部变成p型,以此法pn结。因pn结正向电压降小,适用于大电流整流。最近,使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。

5、台面型二极管

  pn结的制作方法虽然与扩散型相同,但是,只保留pn结及其必要的部分,把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形,因而得名。初期生产的台面型,是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此,又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说,似乎大电流整流用的产品型号很少,而小电流开关用的产品型号却很多。

6、平面型二极管

  在半导体单晶片(主要地是n型硅单晶片)上,扩散p型杂质,利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在n型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的pn结。因此,不需要为调整pn结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整,故而得名。并且,pn结合的表面,因被氧化膜覆盖,所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。最初,对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的,故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言,似乎使用于大电流整流用的型号很少,而作小电流开关用的型号则很多。

7、合金扩散型二极管

  它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质,就能与合金一起过扩散,以便在已经形成的pn结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。

8、外延型二极管

  用外延面长的过程制造pn结而形成的二极管。制造时需要非常高超的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布,故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。

9、肖特基二极管

  基本原理是:在金属(例如铅)和半导体(n型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与pn结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40v左右。其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间trr特别地短。因此,能制作开关二极和低压大电流整流二极管。

二、根据用途分类

1、检波用二极管

  就原理而言,从输入信号中取出调制信号是检波,以整流电流的大小(100ma)作为界线通常把输出电流小于100ma的叫检波。锗材料点接触型、工作频率可达400mhz,正向压降小,结电容小,检波效率高,频率特性好,为2ap型。类似点触型那样检波用的二极管,除用于检波外,还能够用于

光电二极管" 英文通常称为 photo-diode

  光电二极管和普通二极管一样,也是由一个pn结组成的半导体器件,也具有单方向导电特性。但是,在电路中不是用它作整流元件,而是通过它把光信号转换成电信号。那么,它是怎样把光信号转换成电信号的呢?大家知道,普通二极管在反向电压作用在处于截止状态,只能流过微弱的反向电流,光电二极管在设计和制作时尽量使pn结的面积相对较大,以便接收入射光。光电二极管是在反向电压作用在工作的,没有光照时,反向电流极其微弱,叫暗电流;有光照时,反向电流迅速增大到几十微安,称为光电流。光的强度约大,反向电流也约大。光的变化引起光电二极管电流变化,这就可以把光信号转换成电信号,成为光电传感器件。

一、根据构造分类

  半导体二极管主要是依*pn结而工作的。与pn结不可分割的点接触型和肖特基型,也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内,根据pn结构造面的特点,把晶体二极管分类如下:

1、点接触型二极管

  点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后,再通过电流法而形成的。因此,其pn结的静电容量小,适用于高频电路。但是,与面结型相比较,点接触型二极管正向特性和反向特性都差,因此,不能使用于大电流和整流。因为构造简单,所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言,它是应用范围较广的类型。

2、键型二极管

  键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。与点接触型相比较,虽然键型二极管的pn结电容量稍有增加,但正向特性特别优良。多作开关用,有时也被应用于检波和电源|稳压器整流(不大于50ma)。在键型二极管中,熔接金丝的二极管有时被称金键型,熔接银丝的二极管有时被称为银键型。

3、合金型二极管

  在n型锗或硅的单晶片上,通过合金铟、铝等金属的方法制作pn结而形成的。正向电压降小,适于大电流整流。因其pn结反向时静电容量大,所以不适于高频检波和高频整流。

4、扩散型二极管

  在高温的p型杂质气体中,加热n型锗或硅的单晶片,使单晶片表面的一部变成p型,以此法pn结。因pn结正向电压降小,适用于大电流整流。最近,使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。

5、台面型二极管

  pn结的制作方法虽然与扩散型相同,但是,只保留pn结及其必要的部分,把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形,因而得名。初期生产的台面型,是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此,又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说,似乎大电流整流用的产品型号很少,而小电流开关用的产品型号却很多。

6、平面型二极管

  在半导体单晶片(主要地是n型硅单晶片)上,扩散p型杂质,利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在n型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的pn结。因此,不需要为调整pn结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整,故而得名。并且,pn结合的表面,因被氧化膜覆盖,所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。最初,对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的,故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言,似乎使用于大电流整流用的型号很少,而作小电流开关用的型号则很多。

7、合金扩散型二极管

  它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质,就能与合金一起过扩散,以便在已经形成的pn结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。

8、外延型二极管

  用外延面长的过程制造pn结而形成的二极管。制造时需要非常高超的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布,故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。

9、肖特基二极管

  基本原理是:在金属(例如铅)和半导体(n型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与pn结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40v左右。其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间trr特别地短。因此,能制作开关二极和低压大电流整流二极管。

二、根据用途分类

1、检波用二极管

  就原理而言,从输入信号中取出调制信号是检波,以整流电流的大小(100ma)作为界线通常把输出电流小于100ma的叫检波。锗材料点接触型、工作频率可达400mhz,正向压降小,结电容小,检波效率高,频率特性好,为2ap型。类似点触型那样检波用的二极管,除用于检波外,还能够用于

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