飞思卡尔半导体业已推出了全球首款用于l-band（l波段）雷达应用的50v ldmos功率晶体管产品线，从而继续推动了大功率射频（rf）技术的发展。该产品线是各种大功率rf应用的理想选择，包括：空中交通管理和长距离气象雷达。

　　这款rf产品线包括mrf6v14300h最后级器件和mrf6v10010n驱动器。mrf6v14300h可在1200到1400mhz频带内产生330w的脉动rf功率输出，与竞争的双极和场效应晶体管（fet）相比，飞思卡尔的新产品在这种功率水平和频率范围为效率、增益和热阻抗等指标订立了新标准。

　　“随着我们新rf功率晶体管的推出，我们的50v ldmos展现出用于l-band频段（1.2到1.4ghz）、包括雷达在内等各种应用的能力，”飞思卡尔rf事业部副总裁兼总经理gavin woods表示。“我们不仅借力了飞思卡尔ldmos技术的卓异性能，我们还为几个关键指标制定了新rf性能标准。”

　　这族先进的rf功率晶体管产品线——飞思卡尔第一款用于航空和雷达的50v rf功率ldmos——具有竞争优势，其标准的工作电压、低散热成本及托盘（pallet）设计的高可靠性等特性为飞思卡尔的客户在l-band实现脉动rf功率提供了方便。飞思卡尔还计划在今年下半年为航空和雷达应用推出更多同类产品，这些产品将在增益、效率和热阻抗等指标方面优于目前市场上的同类产品。

　　飞思卡尔mrf6v14300h器件的热阻抗小于0.12℃/w jc，它采用的是符合rohs要求的气穴陶瓷封装，其工程处理可有效管控散热且减小了散热器面积。该优异的热性能提供了更低的结温度。mrf6v10010n采用的是过模（over-molded）塑封，也具有优异的热阻抗性能。当一起使用时，可获得低散热成本及托盘设计的高可靠性。

　　mrf6v14300h的关键性能指标有：1.2到1.4ghz的频率范围、330w峰值输出功率（1.4ghz、300μs脉宽、12%的占空比）、17db增益、60%的漏极效率。特别一提的是，精雕细凿的60%的漏极效率起码比竞争产品高10%。mrf6v10010n具有8w峰值输出功率（1.4ghz、300μs脉宽、12%的占空比）、22db增益、60%的漏极效率。

　　与飞思卡尔50v ldmos系列内的其它产品一样，这些先进器件整合了抗静电（esd）保护功能以有助于降低这些器件在组装过程中对静电的敏感性。该esd保护支持了-6v和+10v很宽的栅极电压摆浮，当这些器件工作在诸如c类等高效配置时，该宽摆浮指标具有优势。

　　这族rf器件基于飞思卡尔的第六代极高压（vhv6）50v ldmos技术。飞思卡尔第一次将该技术用于商用，该50v vhv6 ldmos平台展示出业内领先的增益和效率。辅以创新的器件封装和热管理技术，vhv6技术通过增加每晶体管额定的输出功率帮助系统减少了所用器件数、降低了成本。

　　凭借超过40年的功率rf经验，作为业内领先rf功率器件供应商（来源：allied business intelligence）的飞思卡尔目前已为大功率应用提供了超过40亿瓦的容量。飞思卡尔提供创新、高可靠并具成本效益rf方案的悠久历史支持设计师加快其设计以在变化的市场取得成功，并有助于长期大批量供货厂商免受无米下锅之苦。

售价和交货

　　mrf6v10010n有样片且已量产。mrf6v14300h也有样片，量产预计在2008年第三季度。mrf6v14300h还有一款宽带参考测试工具。两款器件的大信号版本预计在2008年底问世。

　　欢迎转载,信息来自维库电子市场网（www.dzsc.com）