Cree推出用于5GHzWiMAX的GaN HEMT三极管
发布时间:2008/6/16 0:00:00 访问次数:447
cree发布了两款突破性的gan hemt三极管,用于覆盖4.9-5.8ghz频带的wimax。新款三极管cgh55015f与cgh55030f是首次发布的特定工作在5.8ghz的gan hemt wimax产品,其性能级别进一步证实了cree在gan技术上的的领导地位。
新款15-watt与30-watt器件的重要潜在特性包括:
1. 相比于类似功率级的gaas mosfet器件,效率增加四倍
2. 相比于商业可用硅ldmos,提高了工作频率
3. 在免授权的5.8ghz ism(工业,科学与医疗)频段和5.3ghz与5.47ghz u-nii(不需许可的国家信息基础构架)频段内的工作性能
4. 在平均功率低于25%流失率的wimax信号,高于2.5% evm优越的线性性,覆盖5.5-5.8ghz瞬时频带。
新款15-watt与30-watt器件的重要潜在特性包括:
1. 相比于类似功率级的gaas mosfet器件,效率增加四倍
2. 相比于商业可用硅ldmos,提高了工作频率
3. 在免授权的5.8ghz ism(工业,科学与医疗)频段和5.3ghz与5.47ghz u-nii(不需许可的国家信息基础构架)频段内的工作性能
4. 在平均功率低于25%流失率的wimax信号,高于2.5% evm优越的线性性,覆盖5.5-5.8ghz瞬时频带。
cree发布了两款突破性的gan hemt三极管,用于覆盖4.9-5.8ghz频带的wimax。新款三极管cgh55015f与cgh55030f是首次发布的特定工作在5.8ghz的gan hemt wimax产品,其性能级别进一步证实了cree在gan技术上的的领导地位。
新款15-watt与30-watt器件的重要潜在特性包括:
1. 相比于类似功率级的gaas mosfet器件,效率增加四倍
2. 相比于商业可用硅ldmos,提高了工作频率
3. 在免授权的5.8ghz ism(工业,科学与医疗)频段和5.3ghz与5.47ghz u-nii(不需许可的国家信息基础构架)频段内的工作性能
4. 在平均功率低于25%流失率的wimax信号,高于2.5% evm优越的线性性,覆盖5.5-5.8ghz瞬时频带。
新款15-watt与30-watt器件的重要潜在特性包括:
1. 相比于类似功率级的gaas mosfet器件,效率增加四倍
2. 相比于商业可用硅ldmos,提高了工作频率
3. 在免授权的5.8ghz ism(工业,科学与医疗)频段和5.3ghz与5.47ghz u-nii(不需许可的国家信息基础构架)频段内的工作性能
4. 在平均功率低于25%流失率的wimax信号,高于2.5% evm优越的线性性,覆盖5.5-5.8ghz瞬时频带。