日前，vishay推出了旨在满足对便携式设备中更小元件的需求的20v p通道trenchfet功率mosfet，该器件采用micro foot芯片级封装，具有此类器件中最薄厚度及最低导通电阻。

　　vishay siliconix si8441db具有0.59mm的超薄厚度，以及1.5mm×1mm的占位面积，这也是在1.2v额定电压时提供导通电阻的首款此类器件。该器件的典型应用包括手机、pda、数码相机、mp3播放器及智能电话等便携式设备中的负载开关及电池保护。

　　si8441db提供了1.2v vgs时0.600ω至4.5v vgs时0.080ω的导通电阻范围，且具有最高±5v的栅源电压。其在1.2v额定电压时出色的低导通电阻性能降低了对电平位移电路的需求，从而节约了便携式电子设计中的空间。

　　vishay同时还推出了采用相同micro foot芯片级封装的另一新款mosfet功率器件--20v p通道si8451db。si8451db的最高额定栅源电源为8v，其导通电阻范围介于1.5v时0.200ω至4.5v时0.80ω，这是迄今为止具有这些额定电压的器件所实现的最佳值。

　　随着便携式电子设备的体积越来越小以及它们功能的不断增加，电源管理电路的可用板面空间会极大减少。为实现消费者对电池充电间隔间的电池运行时间的期望，设计人员需要具有低功耗的更小的mosfet封装，这恰恰是vishay的si8441db及si8451db所具有的特点。

　　目前，上述两款新型micro foot芯片级封装功率mosfet的样品与量产批量已可提供，大宗订单的供货周期为10～12周。