国际整流器公司（ir）近日推出iraudamp3 d类音频参考设计。这款全新的小型参考设计采用irs20124s高压模拟ic及irf6645 directfet ®功率mosfet，可实现无散热器的120w 六通道半桥d类音频功率放大器。

ir公司节能产品部副总裁谭仲能先生指出：“通过采用业界领先的功率mosfets对我们的d类音频高压集成电路进行优化，iraudamp3能够为我们的客户提供显著的性能和尺寸方面的优势。”

集成了irs20124s高压集成电路的参考设计具有内部可选死区时间发生电路，可以防止噪声和电源电压波动，有助于在60w、4ω的情况下实现0.01%的总谐波失真（thd），而在120w、4ω单通道可实现94%的效率。此外，该集成电路还内置了双电流感测和集成的关断功能，在出现扬声器引线短路等过流状况时保护输出mosfet。

iraudamp3的占板面积为4.5平方英寸，也采用了irf6645 directfet 功率mosfet。创新的directfet封装技术通过降低引线电感提高了开关性能，并降低了emi噪声，从而提高了d类音频放大器电路的性能。其较高的热性能有助于实现4ω阻抗下的120w运行，而无需使用散热器，这样不仅缩小了电路尺寸，还为设计师作电路布局提供了更大的灵活性，降低了放大器系统的总体成本。