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硅－硅直接键合工艺机理和模拟的研究

发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:518

硅-硅直接键合技术是一项重要的技术，可广泛应用于soi、mems和大功率器件。对于大功率器件，由于键合界面通过大电流并要承受高压，界面的杂质分布、界面本征氧化层、空洞等对器件的击穿电压、串联电阻等电学性能有很大的影响，要求杂质分布陡、无界面本征氧化层和空洞。所以，用于大功率器件的疏水硅-硅直接键合技术是要求最高、难度最大、也是非常重要的键合技术之一，具有重要的研究意义。

本论文的研究工作是围绕大功率器件的硅-硅直接键合技术展开的：研究键合工艺机理以消除界面空洞，研究工艺模型以模拟键合过程中杂质分布和对键合技术制备高压大功率p-i-n二极管的研究。

首先，研究了硅-硅直接键合技术的工艺机理，提出了高温退火的“开合”过程。通过大量的实验和理论分析发现，在高温（900℃

硅-硅直接键合技术是一项重要的技术，可广泛应用于soi、mems和大功率器件。对于大功率器件，由于键合界面通过大电流并要承受高压，界面的杂质分布、界面本征氧化层、空洞等对器件的击穿电压、串联电阻等电学性能有很大的影响，要求杂质分布陡、无界面本征氧化层和空洞。所以，用于大功率器件的疏水硅-硅直接键合技术是要求最高、难度最大、也是非常重要的键合技术之一，具有重要的研究意义。

本论文的研究工作是围绕大功率器件的硅-硅直接键合技术展开的：研究键合工艺机理以消除界面空洞，研究工艺模型以模拟键合过程中杂质分布和对键合技术制备高压大功率p-i-n二极管的研究。

首先，研究了硅-硅直接键合技术的工艺机理，提出了高温退火的“开合”过程。通过大量的实验和理论分析发现，在高温（900℃

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