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晶圆制造实例

发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:354

集成电路的生产从抛光硅片的下料开始。图4.16的截面图按顺序展示了构成一个简单的mos栅极硅晶体管结构所需要的基础工艺。每一步工艺生产的说明如下：
第一步：增层工艺。对晶圆表面的氧化会形成一层保护薄膜，它可作为掺杂的屏障。这层二氧化硅膜被称为场氧化层。
第二步：光刻工艺。光刻制程在场氧化层上开凹孔以定义晶体管的源极、栅极和漏极的特定位置。
第三步：增层工艺。接下来，晶圆将经过二氧化硅氧化反应加工。晶圆暴露的硅表面会生长一层氧化薄膜。它可作为栅极氧化层。
第四步：增层工艺。在第四步，晶圆上沉积一层多晶硅作为栅极构造的。
第五步：光刻工艺。在氧化层/多晶硅层按电路图形刻蚀的两个开口，它们定义了晶体管的源极和漏极区域。
第六步：掺杂工艺。掺杂加工用于在源极和漏极区域形成n阱。
第七步：增层工艺。在源极和漏极区域生长一层氧化膜。
第八步：光刻工艺。分别在源极、栅极和漏极区域刻蚀形成的孔

集成电路的生产从抛光硅片的下料开始。图4.16的截面图按顺序展示了构成一个简单的mos栅极硅晶体管结构所需要的基础工艺。每一步工艺生产的说明如下：
第一步：增层工艺。对晶圆表面的氧化会形成一层保护薄膜，它可作为掺杂的屏障。这层二氧化硅膜被称为场氧化层。
第二步：光刻工艺。光刻制程在场氧化层上开凹孔以定义晶体管的源极、栅极和漏极的特定位置。
第三步：增层工艺。接下来，晶圆将经过二氧化硅氧化反应加工。晶圆暴露的硅表面会生长一层氧化薄膜。它可作为栅极氧化层。
第四步：增层工艺。在第四步，晶圆上沉积一层多晶硅作为栅极构造的。
第五步：光刻工艺。在氧化层/多晶硅层按电路图形刻蚀的两个开口，它们定义了晶体管的源极和漏极区域。
第六步：掺杂工艺。掺杂加工用于在源极和漏极区域形成n阱。
第七步：增层工艺。在源极和漏极区域生长一层氧化膜。
第八步：光刻工艺。分别在源极、栅极和漏极区域刻蚀形成的孔

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