晶体生长
发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:339
半导体晶圆是从大块半导体材料切割而来的。那些半导体材料，或叫做晶棒，是从大块的具有多晶结构和未掺杂本征材料生长得来的。把多晶块转变成一个大单晶，给予正确的定向和适量的n型或p型掺杂，叫做晶体生长。
使用三种不同的方法来生长单晶：直拉法、液体掩盖直拉法、区溶法。
直拉法（cz）
大部分的单晶是通过直拉法生长的（图3.7）。设备有一个石英坩埚，由负载高频波的环绕线圈来加热，或由电流加热器来加热。坩埚装载半导体材料多晶块和少量掺杂物。选择掺杂材料来产生n型或p型材料。开始在1415°c 把多晶和搀杂物加热到液体状态，接下来籽晶安置到刚接触到液面（叫做熔融物）。籽晶是具有和所需晶体相同晶向的小晶体，籽晶可由化学气相的技术制造。在实际应用中，它们是一片片以前生长的单晶并重复使用。
半导体晶圆是从大块半导体材料切割而来的。那些半导体材料，或叫做晶棒，是从大块的具有多晶结构和未掺杂本征材料生长得来的。把多晶块转变成一个大单晶，给予正确的定向和适量的n型或p型掺杂，叫做晶体生长。
使用三种不同的方法来生长单晶：直拉法、液体掩盖直拉法、区溶法。
直拉法（cz）
大部分的单晶是通过直拉法生长的（图3.7）。设备有一个石英坩埚，由负载高频波的环绕线圈来加热，或由电流加热器来加热。坩埚装载半导体材料多晶块和少量掺杂物。选择掺杂材料来产生n型或p型材料。开始在1415°c 把多晶和搀杂物加热到液体状态，接下来籽晶安置到刚接触到液面（叫做熔融物）。籽晶是具有和所需晶体相同晶向的小晶体，籽晶可由化学气相的技术制造。在实际应用中，它们是一片片以前生长的单晶并重复使用。
-->
使用三种不同的方法来生长单晶：直拉法、液体掩盖直拉法、区溶法。
直拉法（cz）
大部分的单晶是通过直拉法生长的（图3.7）。设备有一个石英坩埚，由负载高频波的环绕线圈来加热，或由电流加热器来加热。坩埚装载半导体材料多晶块和少量掺杂物。选择掺杂材料来产生n型或p型材料。开始在
半导体晶圆是从大块半导体材料切割而来的。那些半导体材料，或叫做晶棒，是从大块的具有多晶结构和未掺杂本征材料生长得来的。把多晶块转变成一个大单晶，给予正确的定向和适量的n型或p型掺杂，叫做晶体生长。
使用三种不同的方法来生长单晶：直拉法、液体掩盖直拉法、区溶法。
直拉法（cz）
大部分的单晶是通过直拉法生长的（图3.7）。设备有一个石英坩埚，由负载高频波的环绕线圈来加热，或由电流加热器来加热。坩埚装载半导体材料多晶块和少量掺杂物。选择掺杂材料来产生n型或p型材料。开始在
相关技术资料- 6-23MOSFET驱动器和碳化硅（SiC）二极管工作原理
- 6-23PWM-VID和PSI两种控制模式技术应用参数设计
- 6-23高频高功率供电电源芯片应用前景研究
- 6-23 130A、非隔离式、双相降压处理器核心技术介绍
- 6-23Intelli-Module双两相降压MPC22163-130
- 6-23PCI Express（PCIe）7.0标准应用探究
- 6-23TPU超高功率密度电源模块MPC24380
- 6-21全新紧凑型解决方案QPQ3550应用探究
- 6-21功率半导体用树脂模塑结构NTC热敏电阻
- 6-21新一代量子芯片Quantum Loon应用详解
- 6-21AT-MEMORY AI处理技术参数设计
- 6-21ARM和RISC-V处理器工作原理
- 相关IC型号
公网安备44030402000607
