lvschk 部分参数

a 合并串联电容
b 保留并联的bjt管，但合并mos，ldd，res，cap，dio
c 形成门电路。（inv是默认形成，只能用x选项关闭）
e 使用主要参数去匹配并联电路。
f 删除不用的器件。layout和schematic删除的器件可以不同。
filter-options 命令优先级高于f参数。
g 以相同的方式，删除不用的器件。
filter-options 命令优先级高于g参数。
k 保留并联的器件。默认是合并。
k参数优先级高于b参数。
l 形成门电路,但不形成aoi，oai。
l参数优先级高于c参数。
m nand或nor的输入端都短接时，把这个器件提为inv。
n 比较衬底，不影响器件的匹配。（可与t对比）
o 可以产生smid，pmid。默认时只产生pup，sup，pdw，sdw
p 比较电容极性。
r 合并串连电阻。
s 合并连续并列的管子。

t 比较衬底，影响器件的匹配。衬底不匹配，也算器件不匹配。
u 在输出的报错文件中，对有错节点，只显示不匹配的器件。
x 在管子级进行比较。不形成门。
z 删除到任何pad没有通路的节点或器件。