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无铅焊料所对应的的贴装元件

发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:313

无铅焊料所对应的贴装元件
8.1无铅焊料的电镀
(1) sn-zn合金电镀
sn-zn合金的共晶组成是sn91wt%(85mo1%),共晶温度为198℃,比sn-pb共晶偏高,润湿性较差,特别是耐氧化问题,目前大多推荐在n2,氛围中进行焊接,另外国外几大公司都在研制适合在大气中进行焊接的sn—zn用助焊剂.
sn-zn合金的电镀,其机械性,经济性都没问题,但由于锡和锌的标准电极电位差较大,难以由单纯盐浴使zn共析,只能使用氰化物,硼氟酸化物、焦磷酸等sn2+,与稳定常大的络合剂进行络合浴,这种络合浴的小洗排水等的中和沉淀处理较困难,将影响到环境保护。由磺基琥珀酸络合进行的sn-zn合金电镀,可避免上述不良,有关参数见表8.1,处理结果见图8.1。

通过界面活化剂聚氧乙烯壬基苯酚(poenpe)的添加,组成共晶的sn—zn合金被膜(见图8.2)。利用磺基琥珀酸的sn错体稳定度并不大,靠络合剂来抑制sn的优先析出是困难的,因此必须并人添加poenpe。图8.3是比较明显的负极极化曲线,通过添加poenpe形成较低的,电位(—600mvvsag/agcl)由此控制sn的大幅析出,组成zn的共析。另外添加poenpe可使被膜的表面形态平滑而细密(见图8.4)。

由上述方式在cu基底上得到的共晶型sn-zn合金被膜在50~c恒温槽中放置一年场合
未有晶须发生(图8.5)。用同样条件在cu基底上做成的sn被膜就发生明显的晶须。图8.6表sn-zn单独镀层被膜,cu基底上被膜与镀ni上被膜的dsc曲线。单独被膜及镀ni上被膜的sn-zn共晶温度在198~c将溶解,cu基底上的被膜在靠近sn熔点一侧225~c溶解,后者被膜温度达到共晶温度时,被膜中的zn向cu基底一侧扩散,在实际组装工艺场合,因看不到其接合强度状况,故采用镀ni的势垒层来防止zn的扩散。

sn—zn合金镀层,可利用sn—zn的两性性质执行stannate—zincate浴,这样排水处理就容易,但这种方式有强碱性,对电路基板的耐碱性,有机性阻焊剂等材料的适用问题及引线框适用性等问题。sn—zn合金电镀的问题点是开发耐氧化性的助焊剂,或者通过第三种合金成分来提高其耐氧化性能。
(2)sn—ag合金电镀
sn—ag合金共晶组成是sn96.5wt%(96.2mot%),ag合有率3.5wt%,共晶温度221℃。该合金焊接温度比原sn—pb共晶高,有良好的接合强度和耐热疲劳特性,现正在车载电子装备、笔记本电脑、移动通信等便携式电子产品上进行着实用性研究。
sn—ag合金的电镀,ag的标准电极电位(ag++e—ag,e0=0.763v),比sn要贵重的多,对ag离子必须执行含强力络合剂的电镀浴,也可通过大量的ki将ag离子络合以焦磷酸sn(ⅱ)浴作为应用方向,这种络合浴,ag会优先析出,并易产生对镀层被膜ag的置换析出。
在使用不溶性阳极场合,氧化剂i2的形成,sn(ⅱ)离子的氧化等,有着基本的时效稳定性。为使这个浴系形成产业化,防止工的阳极氧化,进行着使用配置隔膜的电解槽,或以ki替代ag+的络合剂应用研究。这时要考虑到sn、ag的排水处理和对磷的使用限止。
表8.2表示由酒石酸(l—tart)络合浴的sn—ag合金电镀,可经过添加.ca2+盐,完成中和沉淀处理。该方法由标准电极电位关系,在低电流密度时的优先析出而ag基本上不析出,可确认到ag的析出运态和电流密度的依存性。sn2+与ag+的tart络合稳定性常数有多种,k15.2、β29.91、k<2.0,说明了特别的ag析出运态和混合式络合的形成。

添加n—乙酰—l—半胱氨酸使ag+形成稳定的络合,在较低的电流密度领域获得银的共析(图8.7)添力n—乙酰—l—半胱氨酸,可看到表面状态的显著变化,形成平滑细密的表面(图8.8)。部分极化曲线的影响由图8.9表示。随着负极极化的增大,全电流inet,sn析出

无铅焊料所对应的贴装元件
8.1无铅焊料的电镀
(1) sn-zn合金电镀
sn-zn合金的共晶组成是sn91wt%(85mo1%),共晶温度为198℃,比sn-pb共晶偏高,润湿性较差,特别是耐氧化问题,目前大多推荐在n2,氛围中进行焊接,另外国外几大公司都在研制适合在大气中进行焊接的sn—zn用助焊剂.
sn-zn合金的电镀,其机械性,经济性都没问题,但由于锡和锌的标准电极电位差较大,难以由单纯盐浴使zn共析,只能使用氰化物,硼氟酸化物、焦磷酸等sn2+,与稳定常大的络合剂进行络合浴,这种络合浴的小洗排水等的中和沉淀处理较困难,将影响到环境保护。由磺基琥珀酸络合进行的sn-zn合金电镀,可避免上述不良,有关参数见表8.1,处理结果见图8.1。

通过界面活化剂聚氧乙烯壬基苯酚(poenpe)的添加,组成共晶的sn—zn合金被膜(见图8.2)。利用磺基琥珀酸的sn错体稳定度并不大,靠络合剂来抑制sn的优先析出是困难的,因此必须并人添加poenpe。图8.3是比较明显的负极极化曲线,通过添加poenpe形成较低的,电位(—600mvvsag/agcl)由此控制sn的大幅析出,组成zn的共析。另外添加poenpe可使被膜的表面形态平滑而细密(见图8.4)。

由上述方式在cu基底上得到的共晶型sn-zn合金被膜在50~c恒温槽中放置一年场合
未有晶须发生(图8.5)。用同样条件在cu基底上做成的sn被膜就发生明显的晶须。图8.6表sn-zn单独镀层被膜,cu基底上被膜与镀ni上被膜的dsc曲线。单独被膜及镀ni上被膜的sn-zn共晶温度在198~c将溶解,cu基底上的被膜在靠近sn熔点一侧225~c溶解,后者被膜温度达到共晶温度时,被膜中的zn向cu基底一侧扩散,在实际组装工艺场合,因看不到其接合强度状况,故采用镀ni的势垒层来防止zn的扩散。

sn—zn合金镀层,可利用sn—zn的两性性质执行stannate—zincate浴,这样排水处理就容易,但这种方式有强碱性,对电路基板的耐碱性,有机性阻焊剂等材料的适用问题及引线框适用性等问题。sn—zn合金电镀的问题点是开发耐氧化性的助焊剂,或者通过第三种合金成分来提高其耐氧化性能。
(2)sn—ag合金电镀
sn—ag合金共晶组成是sn96.5wt%(96.2mot%),ag合有率3.5wt%,共晶温度221℃。该合金焊接温度比原sn—pb共晶高,有良好的接合强度和耐热疲劳特性,现正在车载电子装备、笔记本电脑、移动通信等便携式电子产品上进行着实用性研究。
sn—ag合金的电镀,ag的标准电极电位(ag++e—ag,e0=0.763v),比sn要贵重的多,对ag离子必须执行含强力络合剂的电镀浴,也可通过大量的ki将ag离子络合以焦磷酸sn(ⅱ)浴作为应用方向,这种络合浴,ag会优先析出,并易产生对镀层被膜ag的置换析出。
在使用不溶性阳极场合,氧化剂i2的形成,sn(ⅱ)离子的氧化等,有着基本的时效稳定性。为使这个浴系形成产业化,防止工的阳极氧化,进行着使用配置隔膜的电解槽,或以ki替代ag+的络合剂应用研究。这时要考虑到sn、ag的排水处理和对磷的使用限止。
表8.2表示由酒石酸(l—tart)络合浴的sn—ag合金电镀,可经过添加.ca2+盐,完成中和沉淀处理。该方法由标准电极电位关系,在低电流密度时的优先析出而ag基本上不析出,可确认到ag的析出运态和电流密度的依存性。sn2+与ag+的tart络合稳定性常数有多种,k15.2、β29.91、k<2.0,说明了特别的ag析出运态和混合式络合的形成。

添加n—乙酰—l—半胱氨酸使ag+形成稳定的络合,在较低的电流密度领域获得银的共析(图8.7)添力n—乙酰—l—半胱氨酸,可看到表面状态的显著变化,形成平滑细密的表面(图8.8)。部分极化曲线的影响由图8.9表示。随着负极极化的增大,全电流inet,sn析出

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