飞兆半导体FIN324C串化器大大降低双屏手机FPC成本
发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:274
飞兆半导体公司(fairchildsemiconductor)推出第二代fin324cμserdes-ulp(超低功耗)系列器件,具有业界最低的耗电量(4ma@5.44mhz),无需外部时序参考器件,并支持双显示功能;这可以协助设计人员在最新的手机、mp3播放器和其它小型显示器应用中,节省电池能量、提高设计灵活性和减少部件数目。全新的fin324c采用超小型bga和mlp封装,适用于空间受限的应用。
第二代μserdes的主要强化性能包括:
无需内部锁相环(pll),因此能大幅度降低耗电量并无需外部时钟;
具双接口能力(r/w微控制器、像素和/或spi),可提高设计灵活性;
适合于rf环境的稳健i/o解决方案,并实现低emi;以及很宽的lvcmos电源电压范围(1.6v-3.0v),具有适于多种应用的灵活性。
飞兆半导体的μserdes产品以其专利的ctli/o技术为基础,将超便携式手机一般所需的24或12个lvcmos信号缩减为高速差分串行信号,从而把线缆数减少到6:1。飞兆半导体的方案大大减少了通常用来传输数据的昂贵柔性电缆的数量,因此能减少部件数目并简化设计。fin324c还具有15kv的高esd保护功能和低emi水平(-110dbm),使噪声大为减少,同时可靠性得以提高。
除了第二代fin324c外,飞兆半导体的μserdes系列还包括适用于各种特定便携式技术的器件,包括12位和24位的优化图像传感器和lcd。
fin324c是无铅产品,能达到或甚至超越ipc/jedec的j-std-020c标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。
fin324c交货期为收到订单后8周内
第二代μserdes的主要强化性能包括:
无需内部锁相环(pll),因此能大幅度降低耗电量并无需外部时钟;
具双接口能力(r/w微控制器、像素和/或spi),可提高设计灵活性;
适合于rf环境的稳健i/o解决方案,并实现低emi;以及很宽的lvcmos电源电压范围(1.6v-3.0v),具有适于多种应用的灵活性。
飞兆半导体的μserdes产品以其专利的ctli/o技术为基础,将超便携式手机一般所需的24或12个lvcmos信号缩减为高速差分串行信号,从而把线缆数减少到6:1。飞兆半导体的方案大大减少了通常用来传输数据的昂贵柔性电缆的数量,因此能减少部件数目并简化设计。fin324c还具有15kv的高esd保护功能和低emi水平(-110dbm),使噪声大为减少,同时可靠性得以提高。
除了第二代fin324c外,飞兆半导体的μserdes系列还包括适用于各种特定便携式技术的器件,包括12位和24位的优化图像传感器和lcd。
fin324c是无铅产品,能达到或甚至超越ipc/jedec的j-std-020c标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。
fin324c交货期为收到订单后8周内
飞兆半导体公司(fairchildsemiconductor)推出第二代fin324cμserdes-ulp(超低功耗)系列器件,具有业界最低的耗电量(4ma@5.44mhz),无需外部时序参考器件,并支持双显示功能;这可以协助设计人员在最新的手机、mp3播放器和其它小型显示器应用中,节省电池能量、提高设计灵活性和减少部件数目。全新的fin324c采用超小型bga和mlp封装,适用于空间受限的应用。
第二代μserdes的主要强化性能包括:
无需内部锁相环(pll),因此能大幅度降低耗电量并无需外部时钟;
具双接口能力(r/w微控制器、像素和/或spi),可提高设计灵活性;
适合于rf环境的稳健i/o解决方案,并实现低emi;以及很宽的lvcmos电源电压范围(1.6v-3.0v),具有适于多种应用的灵活性。
飞兆半导体的μserdes产品以其专利的ctli/o技术为基础,将超便携式手机一般所需的24或12个lvcmos信号缩减为高速差分串行信号,从而把线缆数减少到6:1。飞兆半导体的方案大大减少了通常用来传输数据的昂贵柔性电缆的数量,因此能减少部件数目并简化设计。fin324c还具有15kv的高esd保护功能和低emi水平(-110dbm),使噪声大为减少,同时可靠性得以提高。
除了第二代fin324c外,飞兆半导体的μserdes系列还包括适用于各种特定便携式技术的器件,包括12位和24位的优化图像传感器和lcd。
fin324c是无铅产品,能达到或甚至超越ipc/jedec的j-std-020c标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。
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第二代μserdes的主要强化性能包括:
无需内部锁相环(pll),因此能大幅度降低耗电量并无需外部时钟;
具双接口能力(r/w微控制器、像素和/或spi),可提高设计灵活性;
适合于rf环境的稳健i/o解决方案,并实现低emi;以及很宽的lvcmos电源电压范围(1.6v-3.0v),具有适于多种应用的灵活性。
飞兆半导体的μserdes产品以其专利的ctli/o技术为基础,将超便携式手机一般所需的24或12个lvcmos信号缩减为高速差分串行信号,从而把线缆数减少到6:1。飞兆半导体的方案大大减少了通常用来传输数据的昂贵柔性电缆的数量,因此能减少部件数目并简化设计。fin324c还具有15kv的高esd保护功能和低emi水平(-110dbm),使噪声大为减少,同时可靠性得以提高。
除了第二代fin324c外,飞兆半导体的μserdes系列还包括适用于各种特定便携式技术的器件,包括12位和24位的优化图像传感器和lcd。
fin324c是无铅产品,能达到或甚至超越ipc/jedec的j-std-020c标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。
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