美国模拟器件公司（adi）前开发成功了可承受电压达30v、设计规格为0.6μm的超微细半导体制造工艺该技术名为“icmos工艺技术”。主要用于生产面向需要承受高电压的产业设备和医疗设备等的模拟ic。

　　此前，生产可承受30v高压的模拟ic芯片，需要采用设计规格为1μm～3μm的bipolar-cmos技术。而采用此次的icmos工艺技术，与此前相比可减少耗电、减小芯片面积，还可实现高速运行等。因为具有以上优良性能，adi计划在面向产业设备和医疗设备的模拟ic生产领域，全面推进由此前的bipolar-cmos技术向icmos工艺技术的过渡。

　　还同时宣布采用该技术生产15种产品

　　该公司在发表icmos工艺技术的同时，还宣布将采用该技术生产15种模拟ic产品。包括运算放大器、a-d转换器、d-a转换器、转换器和多路复用器等（本文最后的部分有介绍）。每款产品都在±5v或±15v等高电压下运行。

　　因为icmos工艺技术为0.6μm的微细设计规格，所以不仅可减小芯片面积、对外围电路进行集成，截止频率ft也高达1ghz。比如说，采用icmos技术制造的a-d转换器与同类产品相比，耗电量可减少25%～40%，成形速度也可达此前的5倍左右。

　　目前，半导体业界的技术开发出现了面向数字家电一边倒的有趣现象。不过，adi表示：“我们一贯重视面向产业设备的耐高压模拟ic的技术开发，今后仍将继续努力”（该公司precision converters生产线主任mike britchfield）。adi还计划根据市场需求，将icmos工艺技术应用到面向特定用途的半导体产品（assp：application specific standard product）的生产中。不过，目前还没有接受采用icmos工艺技术的定制ic的订货计划。

　　采用icmos工艺技术的新产品（部分）如下：

　　■d-a转换器ic“ad5764”
　　——输入数字信号的分解能力为16位，输出信号的电压范围为±10v。

　　■a-d转换器ic“ad7328”
　　——输入信号的分解能力为12位，量子化分解能力为12位。

　　■运算放大器“ad8661”
　　——最大可增压至16v（±8v）运行。

　　■转换器和多路复用器“adg12xx”
　　——每个磁道容量为2pf，最大导通电阻仅为5ω。