半导体型号命名方法
发布时间:2008/6/3 0:00:00 访问次数:341
一、中国半导体器件型号命名方法
半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、pin型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下:
第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管
第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时:a-n型锗材料、b-p型锗材料、c-n型硅材料、d-p型硅材料。表示三极管时:a-pnp型锗材料、b-npn型锗材料、c-pnp型硅材料、d-npn型硅材料。
第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。p-普通管、v-微波管、w-稳压管、c-参量管、z-整流管、l-整流堆、s-隧道管、n-阻尼管、u-光电器件、k-开关管、x-低频小功率管(f<3mhz,pc<1w)、g-高频小功率管(f>3mhz,pc<1w)、d-低频大功率管(f<3mhz,pc>1w)、a-高频大功率管(f>3mhz,pc>1w)、t-半导体晶闸管(可控整流器)、y-体效应器件、b-雪崩管、j-阶跃恢复管、cs-场效应管、bt-半导体特殊器件、fh-复合管、pin-pin型管、jg-激光器件。
第四部分:用数字表示序号
第五部分:用汉语拼音字母表示规格号
例如:3dg18表示npn型硅材料高频三极管
二、日本半导体分立器件型号命名方法
日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:
第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分:日本电子工业协会jeia注册标志。s-表示已在日本电子工业协会jeia注册登记的半导体分立器件。
第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。a-pnp型高频管、b-pnp型低频管、c-npn型高频管、d-npn型低频管、f-p控制极可控硅、g-n控制极可控硅、h-n基极单结晶体管、j-p沟道场效应管、k-n沟道场效应管、m-双向可控硅。
第四部分:用数字表示在日本电子工业协会jeia登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始,表示在日本电子工业协会jeia登记的顺序号;不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号;数字越大,越是近期产品。
第五部分:用字母表示同一型号的改进型产品标志。a、b、c、d、e、f表示这一器件是原型号产品的改进产品。
三、美国半导体分立器件型号命名方法
美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下:
第一部分:用符号表示器件用途的类型。jan-军级、jantx-特军级、jantxv-超特军级、jans-宇航级、(无)-非军用品。
第二部分:用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。
第三部分:美国电子工业协会(eia)注册标志。n-该器件已在美国电子工业协会(eia)注册登记。
第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。
第五部分:用字母表示器件分档。a、b、c、d、┄┄-同一型号器件的不同档别。如:jan2n3251a表示pnp硅高频小功率开关三极管,jan-军级、2-三极管、n-eia注册标志、3251-eia登记顺序号、a-2n3251a档。
四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法
德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成,各部分的符号及意义如下:
第一部分:用字母表示器件使用的材料。a-器件使用材料的禁带宽度eg=0.6~1.0ev如锗、b-器件使用材料的eg=1.0~1.3ev如硅、c-器件使用材料的eg>1.3ev如砷化镓、d-器件使用材料的eg<0.6ev如锑化铟、e-器件使用复合材料及光电池使用的材料
第二部分:用字母表示器件的类型及主要特征。a-检波开关混频二极管、b-变容二极管、c-低频小功率三极管、d-低频大功率三极管、e-隧道二极管、f-高频小功率三极管、g-复合器件及其他器件、h-磁敏二极管、k-开放磁路中的霍尔元件、l-高频大功率三极管、m-封闭磁路中的霍尔元件、p-光敏器件、q-发光器件、r-小功率晶闸管、s-小功率开关管、t-大功率晶闸管、u-大功率开关管、x-倍增二极管、y-整流二极管、z-稳压二极管。
第三部分:用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。
第四部分:用字母对同一类型号器件进行分档。a、b、c、d、e┄┄-表示同一型号
一、中国半导体器件型号命名方法
半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、pin型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下:
第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管
第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时:a-n型锗材料、b-p型锗材料、c-n型硅材料、d-p型硅材料。表示三极管时:a-pnp型锗材料、b-npn型锗材料、c-pnp型硅材料、d-npn型硅材料。
第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。p-普通管、v-微波管、w-稳压管、c-参量管、z-整流管、l-整流堆、s-隧道管、n-阻尼管、u-光电器件、k-开关管、x-低频小功率管(f<3mhz,pc<1w)、g-高频小功率管(f>3mhz,pc<1w)、d-低频大功率管(f<3mhz,pc>1w)、a-高频大功率管(f>3mhz,pc>1w)、t-半导体晶闸管(可控整流器)、y-体效应器件、b-雪崩管、j-阶跃恢复管、cs-场效应管、bt-半导体特殊器件、fh-复合管、pin-pin型管、jg-激光器件。
第四部分:用数字表示序号
第五部分:用汉语拼音字母表示规格号
例如:3dg18表示npn型硅材料高频三极管
二、日本半导体分立器件型号命名方法
日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:
第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分:日本电子工业协会jeia注册标志。s-表示已在日本电子工业协会jeia注册登记的半导体分立器件。
第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。a-pnp型高频管、b-pnp型低频管、c-npn型高频管、d-npn型低频管、f-p控制极可控硅、g-n控制极可控硅、h-n基极单结晶体管、j-p沟道场效应管、k-n沟道场效应管、m-双向可控硅。
第四部分:用数字表示在日本电子工业协会jeia登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始,表示在日本电子工业协会jeia登记的顺序号;不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号;数字越大,越是近期产品。
第五部分:用字母表示同一型号的改进型产品标志。a、b、c、d、e、f表示这一器件是原型号产品的改进产品。
三、美国半导体分立器件型号命名方法
美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下:
第一部分:用符号表示器件用途的类型。jan-军级、jantx-特军级、jantxv-超特军级、jans-宇航级、(无)-非军用品。
第二部分:用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。
第三部分:美国电子工业协会(eia)注册标志。n-该器件已在美国电子工业协会(eia)注册登记。
第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。
第五部分:用字母表示器件分档。a、b、c、d、┄┄-同一型号器件的不同档别。如:jan2n3251a表示pnp硅高频小功率开关三极管,jan-军级、2-三极管、n-eia注册标志、3251-eia登记顺序号、a-2n3251a档。
四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法
德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成,各部分的符号及意义如下:
第一部分:用字母表示器件使用的材料。a-器件使用材料的禁带宽度eg=0.6~1.0ev如锗、b-器件使用材料的eg=1.0~1.3ev如硅、c-器件使用材料的eg>1.3ev如砷化镓、d-器件使用材料的eg<0.6ev如锑化铟、e-器件使用复合材料及光电池使用的材料
第二部分:用字母表示器件的类型及主要特征。a-检波开关混频二极管、b-变容二极管、c-低频小功率三极管、d-低频大功率三极管、e-隧道二极管、f-高频小功率三极管、g-复合器件及其他器件、h-磁敏二极管、k-开放磁路中的霍尔元件、l-高频大功率三极管、m-封闭磁路中的霍尔元件、p-光敏器件、q-发光器件、r-小功率晶闸管、s-小功率开关管、t-大功率晶闸管、u-大功率开关管、x-倍增二极管、y-整流二极管、z-稳压二极管。
第三部分:用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。
第四部分:用字母对同一类型号器件进行分档。a、b、c、d、e┄┄-表示同一型号
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