半导体器件型号命名方法

发布时间:2008/6/3 0:00:00 访问次数:280

一、中国半导体器件型号命名方法

　　半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、pin型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：

　　第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管

　　第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：a-n型锗材料、b-p型锗材料、c-n型硅材料、d-p型硅材料。表示三极管时：a-pnp型锗材料、b-npn型锗材料、c-pnp型硅材料、d-npn型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。p-普通管、v-微波管、w-稳压管、c-参量管、z-整流管、l-整流堆、s-隧道管、n-阻尼管、u-光电器件、k-开关管、x-低频小功率管(f<3mhz,pc<1w)、g-高频小功率管（f>3mhz,pc<1w)、d-低频大功率管（f<3mhz,pc>1w)、a-高频大功率管（f>3mhz,pc>1w)、t-半导体晶闸管（可控整流器）、y-体效应器件、b-雪崩管、j-阶跃恢复管、cs-场效应管、bt-半导体特殊器件、fh-复合管、pin-pin型管、jg-激光器件。

　　第四部分：用数字表示序号

　　第五部分：用汉语拼音字母表示规格号

　　例如：3dg18表示npn型硅材料高频三极管

二、日本半导体分立器件型号命名方法

　　日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：

　　第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。

　　第二部分：日本电子工业协会jeia注册标志。s-表示已在日本电子工业协会jeia注册登记的半导体分立器件。

　　第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。a-pnp型高频管、b-pnp型低频管、c-npn型高频管、d-npn型低频管、f-p控制极可控硅、g-n控制极可控硅、h-n基极单结晶体管、j-p沟道场效应管、k-n 沟道场效应管、m-双向可控硅。

　　第四部分：用数字表示在日本电子工业协会jeia登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会jeia登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。

　　第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。a、b、c、d、e、f表示这一器件是原型号产品的改进产品。

三、美国半导体分立器件型号命名方法

　　美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：

　　第一部分：用符号表示器件用途的类型。jan-军级、jantx-特军级、jantxv-超特军级、jans-宇航级、（无）-非军用品。

　　第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。

　　第三部分：美国电子工业协会（eia）注册标志。n-该器件已在美国