安森美推出业内最小封装的ESD保护二极管阵列
发布时间:2008/6/3 0:00:00 访问次数:280
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全球领先的高能效电源管理解决方案供应商安森美半导体（on semiconductor）宣布推出采用超小sot-953封装的新系列低电容esd保护阵列。这些器件封装尺寸仅为1.0 mm x 1.0 mm x 0.5 mm，是讲究节省电路板空间之应用的理想选择。此外，专为众多敏感设备而设计的这些器件经过优化，可广泛用于手机、pda、数码相机及其他保护应用中。
与安森美半导体另一款采用sot-553封装的esd保护二极管相比，这些采用sot-953封装器件的尺寸减小了60%。与尺寸为1.0 mm x 1.45 mm的微型qfn封装相比，采用sot-953封装可节省30%的空间。微型qfn封装是目前市场上仅次于sot-953的小型封装。
器件
nup45v6系列具有四个可防止esd和其他瞬态电压事件危害的独立保护系列。该新系列包括保护电压为5.6v、6.8v及12v的器件，并提供符合iec61000 4-2 esd的标准性能。由于外形小巧，这些二极管可以安装在输入/输出端口附近，在瞬态电压进入电路板之前即可进行抑制。在3v的工作电压下，这些器件的电容不到7pf，泄漏电流不到0.1μa，可以提供高效而可靠的保护。nup45v6、nup46v8和nup412v每10,000片的预算批量单价都为0.12美元。
与安森美半导体另一款采用sot-553封装的esd保护二极管相比，这些采用sot-953封装器件的尺寸减小了60%。与尺寸为1.0 mm x 1.45 mm的微型qfn封装相比，采用sot-953封装可节省30%的空间。微型qfn封装是目前市场上仅次于sot-953的小型封装。
器件
nup45v6系列具有四个可防止esd和其他瞬态电压事件危害的独立保护系列。该新系列包括保护电压为5.6v、6.8v及12v的器件，并提供符合iec61000 4-2 esd的标准性能。由于外形小巧，这些二极管可以安装在输入/输出端口附近，在瞬态电压进入电路板之前即可进行抑制。在3v的工作电压下，这些器件的电容不到7pf，泄漏电流不到0.1μa，可以提供高效而可靠的保护。nup45v6、nup46v8和nup412v每10,000片的预算批量单价都为0.12美元。
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全球领先的高能效电源管理解决方案供应商安森美半导体（on semiconductor）宣布推出采用超小sot-953封装的新系列低电容esd保护阵列。这些器件封装尺寸仅为1.0 mm x 1.0 mm x 0.5 mm，是讲究节省电路板空间之应用的理想选择。此外，专为众多敏感设备而设计的这些器件经过优化，可广泛用于手机、pda、数码相机及其他保护应用中。
与安森美半导体另一款采用sot-553封装的esd保护二极管相比，这些采用sot-953封装器件的尺寸减小了60%。与尺寸为1.0 mm x 1.45 mm的微型qfn封装相比，采用sot-953封装可节省30%的空间。微型qfn封装是目前市场上仅次于sot-953的小型封装。
器件
nup45v6系列具有四个可防止esd和其他瞬态电压事件危害的独立保护系列。该新系列包括保护电压为5.6v、6.8v及12v的器件，并提供符合iec61000 4-2 esd的标准性能。由于外形小巧，这些二极管可以安装在输入/输出端口附近，在瞬态电压进入电路板之前即可进行抑制。在3v的工作电压下，这些器件的电容不到7pf，泄漏电流不到0.1μa，可以提供高效而可靠的保护。nup45v6、nup46v8和nup412v每10,000片的预算批量单价都为0.12美元。
与安森美半导体另一款采用sot-553封装的esd保护二极管相比，这些采用sot-953封装器件的尺寸减小了60%。与尺寸为1.0 mm x 1.45 mm的微型qfn封装相比，采用sot-953封装可节省30%的空间。微型qfn封装是目前市场上仅次于sot-953的小型封装。
器件
nup45v6系列具有四个可防止esd和其他瞬态电压事件危害的独立保护系列。该新系列包括保护电压为5.6v、6.8v及12v的器件，并提供符合iec61000 4-2 esd的标准性能。由于外形小巧，这些二极管可以安装在输入/输出端口附近，在瞬态电压进入电路板之前即可进行抑制。在3v的工作电压下，这些器件的电容不到7pf，泄漏电流不到0.1μa，可以提供高效而可靠的保护。nup45v6、nup46v8和nup412v每10,000片的预算批量单价都为0.12美元。
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