飞思卡尔推出高功率LDMOS射频功率晶体管MRF6VP11K...
发布时间:2008/6/3 0:00:00 访问次数:292
该晶体管的操作电压为50v，与双极和mosfet设备相比，它具有明显的优势。它能够提供核磁共振成像(mri)系统、co2激光器、等离子体发生器和其他系统所需的功率。
以高功率水平实现高增益，这大大减少了所需的部件数量，与传统设计相比，部件数量减少了70%。部件数量的大幅减少，使主板空间要求和制造复杂性随之降低，最终使放大器成本全面降低。
这种晶体管在10-150mhz之间运行。它采用飞思卡尔第六代高电压(vhv6)ldmos(横向扩散金属氧化物晶体管)技术，该产品组合2006年6月公布的50v vhv6 ldmos设备系列，能够满足在频率高达450mhz的hf、vhf和uhf上操作ism应用所需的要求。
mrf6vp11kh带来的好处已经超越了它作为商用ldmos rf晶体管的地位。mrf6vp11kh提供65%的排放功率和高于27db的增益，这样的效率水平能够大大减少放大器设计的复杂性、增益进阶、部件数量和电路板数量。
需要2kw脉冲输出功率和45db增益的应用通常需要1个15w的预驱动器、2个15w的驱动器和8个终端放大器，此时还要使用mosfet或双极设备，总共包括3个进阶和11台设备。但基于mrf6vp11kh的设计只需要3台设备。1个10w ldmos驱动器和2个mrf6vp11kh终端放大器能够产生同等的输出功率和更高的50db增益。
此外，对于给定功率水平，mrf6vp11kh使用50v偏置电压能够产生更高终端阻抗，这让设备更容易与放大器电路匹配。飞思卡尔符合rohs的气泡封装热阻测评低于0.13℃/w qjc，可提供有效的热管理，并减少散热片尺寸。mrf6vp11kh带有集成静电放电(esd)保护，因而除了在电子制造中看到的日常处理外，就不再需要特别的处理。
mrf6vp11kh连接飞思卡尔2006年推出的50v vhv6 ldmos设备系列。已经投入生产的其它在10-450mhz运行的设备包括mrf6v2010n(10w cw、24db增益和62%的效率)、mrf6v2150n(150w cw、25db增益、68%的效率)和mrf6v2300n(300w cw、25.5%和68%的效率)。
该晶体管的操作电压为50v，与双极和mosfet设备相比，它具有明显的优势。它能够提供核磁共振成像(mri)系统、co2激光器、等离子体发生器和其他系统所需的功率。
以高功率水平实现高增益，这大大减少了所需的部件数量，与传统设计相比，部件数量减少了70%。部件数量的大幅减少，使主板空间要求和制造复杂性随之降低，最终使放大器成本全面降低。
这种晶体管在10-150mhz之间运行。它采用飞思卡尔第六代高电压(vhv6)ldmos(横向扩散金属氧化物晶体管)技术，该产品组合2006年6月公布的50v vhv6 ldmos设备系列，能够满足在频率高达450mhz的hf、vhf和uhf上操作ism应用所需的要求。
mrf6vp11kh带来的好处已经超越了它作为商用ldmos rf晶体管的地位。mrf6vp11kh提供65%的排放功率和高于27db的增益，这样的效率水平能够大大减少放大器设计的复杂性、增益进阶、部件数量和电路板数量。
需要2kw脉冲输出功率和45db增益的应用通常需要1个15w的预驱动器、2个15w的驱动器和8个终端放大器，此时还要使用mosfet或双极设备，总共包括3个进阶和11台设备。但基于mrf6vp11kh的设计只需要3台设备。1个10w ldmos驱动器和2个mrf6vp11kh终端放大器能够产生同等的输出功率和更高的50db增益。
此外，对于给定功率水平，mrf6vp11kh使用50v偏置电压能够产生更高终端阻抗，这让设备更容易与放大器电路匹配。飞思卡尔符合rohs的气泡封装热阻测评低于0.13℃/w qjc，可提供有效的热管理，并减少散热片尺寸。mrf6vp11kh带有集成静电放电(esd)保护，因而除了在电子制造中看到的日常处理外，就不再需要特别的处理。
mrf6vp11kh连接飞思卡尔2006年推出的50v vhv6 ldmos设备系列。已经投入生产的其它在10-450mhz运行的设备包括mrf6v2010n(10w cw、24db增益和62%的效率)、mrf6v2150n(150w cw、25db增益、68%的效率)和mrf6v2300n(300w cw、25.5%和68%的效率)。
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