Microsemi推出了一系列FREDFET快速恢复二极管
发布时间:2008/6/3 0:00:00 访问次数:317
microsemi公司推出了一系列fredfet(h-fredfet)快速恢复二极管，属于其最新一代功率mos 8产品线，面向多种500 v和600 v应用，包括ac-dc离线电源、马达驱动器、服务器和电信电源系统、太阳能逆变器、单相及三相电弧焊和等离子切割设备、电池充电器、半导体资本设备和感应加热。医疗设备方面包括磁共振成像(mri)和计算机化x射线轴向分层造影(ct)。
与早期的器件相比，先进的制造工艺降低了mos 8产品的热电阻，使每个裸片尺寸和封装类型可承受更高的额定电流。电容和栅电荷的降低可实现较高的转换频率和较低的开关损耗。mos 8 h-fredfet具有mos 8 fredfet的所有特点与优点，低导通电阻rds(on)，体二极管的恢复速度小于或等于200ns。这些器件在寄生二极管承载正向电流的应用中具有极好的耐用性和可靠性，如常用的零电压转换(zvs)桥拓扑。所有mos 8 h-fredfet器件都经过100%雪崩能量检测，所用封装皆符合rohs指令。
microsemi公司推出了一系列fredfet(h-fredfet)快速恢复二极管，属于其最新一代功率mos 8产品线，面向多种500 v和600 v应用，包括ac-dc离线电源、马达驱动器、服务器和电信电源系统、太阳能逆变器、单相及三相电弧焊和等离子切割设备、电池充电器、半导体资本设备和感应加热。医疗设备方面包括磁共振成像(mri)和计算机化x射线轴向分层造影(ct)。
与早期的器件相比，先进的制造工艺降低了mos 8产品的热电阻，使每个裸片尺寸和封装类型可承受更高的额定电流。电容和栅电荷的降低可实现较高的转换频率和较低的开关损耗。mos 8 h-fredfet具有mos 8 fredfet的所有特点与优点，低导通电阻rds(on)，体二极管的恢复速度小于或等于200ns。这些器件在寄生二极管承载正向电流的应用中具有极好的耐用性和可靠性，如常用的零电压转换(zvs)桥拓扑。所有mos 8 h-fredfet器件都经过100%雪崩能量检测，所用封装皆符合rohs指令。
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