安森美半导体推出新的超低电容静电放电(ESD)保护器件系列
发布时间:2008/6/3 0:00:00 访问次数:376
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安森美半导体推出新的超低电容静电放电(esd)保护器件系列的首款产品。新的esd9l是一款单线esd保护器件,提供0.5皮法(pf)电容和业界领先的低钳位电压。这元件采用适合esd保护应用的业内最小封装,非常适用于手机、mp3播放器、个人数字助理(pda)和数码相机等便携应用的高速数据线路保护。
随着更新的集成电路(ic)技术使用的几何尺寸越来越小和工作电压越来越低,不断更新换代的便携产品对esd电压损伤也越趋敏感。与此同时,便携电子系统也要求电容更低,以维持其高速数据线路应用的信号完整性。基于硅瞬态电压抑制(tvs)二极管的传统片外保护解决方案提供低钳位电压和快响应时间,但它们的大电容限制了其在高速应用中的使用。聚合物和陶瓷压敏电阻等竞争性片外保护技术提供低电容,但它们的高esd钳位电压限制了其保护极敏感ic免受esd损伤的能力。
安森美半导体亚太区标准产品部市场营销副总裁麦满权说:“便携设备设计人员的挑战是寻找既结合低电容和低esd钳位电压特性、封装又小到能够适合当今尺寸日益缩小的便携电子应用的片外esd保护解决方案。安森美半导体推出适合高速数据线路应用的esd9l系列esd保护二极管,为设计师解决了挑战。”
随着更新的集成电路(ic)技术使用的几何尺寸越来越小和工作电压越来越低,不断更新换代的便携产品对esd电压损伤也越趋敏感。与此同时,便携电子系统也要求电容更低,以维持其高速数据线路应用的信号完整性。基于硅瞬态电压抑制(tvs)二极管的传统片外保护解决方案提供低钳位电压和快响应时间,但它们的大电容限制了其在高速应用中的使用。聚合物和陶瓷压敏电阻等竞争性片外保护技术提供低电容,但它们的高esd钳位电压限制了其保护极敏感ic免受esd损伤的能力。
安森美半导体亚太区标准产品部市场营销副总裁麦满权说:“便携设备设计人员的挑战是寻找既结合低电容和低esd钳位电压特性、封装又小到能够适合当今尺寸日益缩小的便携电子应用的片外esd保护解决方案。安森美半导体推出适合高速数据线路应用的esd9l系列esd保护二极管,为设计师解决了挑战。”
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安森美半导体推出新的超低电容静电放电(esd)保护器件系列的首款产品。新的esd9l是一款单线esd保护器件,提供0.5皮法(pf)电容和业界领先的低钳位电压。这元件采用适合esd保护应用的业内最小封装,非常适用于手机、mp3播放器、个人数字助理(pda)和数码相机等便携应用的高速数据线路保护。
随着更新的集成电路(ic)技术使用的几何尺寸越来越小和工作电压越来越低,不断更新换代的便携产品对esd电压损伤也越趋敏感。与此同时,便携电子系统也要求电容更低,以维持其高速数据线路应用的信号完整性。基于硅瞬态电压抑制(tvs)二极管的传统片外保护解决方案提供低钳位电压和快响应时间,但它们的大电容限制了其在高速应用中的使用。聚合物和陶瓷压敏电阻等竞争性片外保护技术提供低电容,但它们的高esd钳位电压限制了其保护极敏感ic免受esd损伤的能力。
安森美半导体亚太区标准产品部市场营销副总裁麦满权说:“便携设备设计人员的挑战是寻找既结合低电容和低esd钳位电压特性、封装又小到能够适合当今尺寸日益缩小的便携电子应用的片外esd保护解决方案。安森美半导体推出适合高速数据线路应用的esd9l系列esd保护二极管,为设计师解决了挑战。”
随着更新的集成电路(ic)技术使用的几何尺寸越来越小和工作电压越来越低,不断更新换代的便携产品对esd电压损伤也越趋敏感。与此同时,便携电子系统也要求电容更低,以维持其高速数据线路应用的信号完整性。基于硅瞬态电压抑制(tvs)二极管的传统片外保护解决方案提供低钳位电压和快响应时间,但它们的大电容限制了其在高速应用中的使用。聚合物和陶瓷压敏电阻等竞争性片外保护技术提供低电容,但它们的高esd钳位电压限制了其保护极敏感ic免受esd损伤的能力。
安森美半导体亚太区标准产品部市场营销副总裁麦满权说:“便携设备设计人员的挑战是寻找既结合低电容和低esd钳位电压特性、封装又小到能够适合当今尺寸日益缩小的便携电子应用的片外esd保护解决方案。安森美半导体推出适合高速数据线路应用的esd9l系列esd保护二极管,为设计师解决了挑战。”