Zetex中电压双极晶体管有效提升电路功率密度（图）
发布时间:2008/6/3 0:00:00 访问次数:266
zetex semiconductors推出一系列采用sot23封装的中电压双极晶体管,可以处理达1.25w的功耗。新系列包括七款npn和六款pnp器件,面积为3×2.5mm,可以取代体积更大的dpak、sot89和sot223封装的器件,从而提升电路的功率密度。zztn和zxtp双极器件的集极－发射极电压介于40v至100v之间,有助于设计用于汽车、工业和电信业应用的电灯、继电器和螺线管的高效开关。
该系列晶体管的阻断电压高达180v,可处理高达5a的连续集电极电流,因此能够切换高达500w的负载。此外,高达12a的脉冲电流额定值有助于以更高的速度驱动电源电路中更高电容的mosfet和igbt。
zetex semiconductors推出一系列采用sot23封装的中电压双极晶体管,可以处理达1.25w的功耗。新系列包括七款npn和六款pnp器件,面积为3×2.5mm,可以取代体积更大的dpak、sot89和sot223封装的器件,从而提升电路的功率密度。zztn和zxtp双极器件的集极－发射极电压介于40v至100v之间,有助于设计用于汽车、工业和电信业应用的电灯、继电器和螺线管的高效开关。
该系列晶体管的阻断电压高达180v,可处理高达5a的连续集电极电流,因此能够切换高达500w的负载。此外,高达12a的脉冲电流额定值有助于以更高的速度驱动电源电路中更高电容的mosfet和igbt。
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