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TPS51116:高效率功率管理器件

发布时间:2008/6/3 0:00:00 访问次数:623

  ti公司推出新的高效率功率管理器件tps5116,它组合了dc/dc开关模式控制器和线性低压降(ldo)调整器,以增加功率性能.这种高度集成的器件大大地降低了所有ddr系统如micron的ddr和ddr ii系统的功率管理外接元件.

  ti的新的tps51116集成了用来向vddq加电的同步电流模式dc/dc控制器和用来向vtt加电的3a ldo调整器以及一个缓冲基准电源vref.完全和ddr和ddr ii jedec标准兼容,完整的ddr电源解决方案由用于开关的电源和增加几个外接电阻和电容组成,作为比较,当今的系统则需要18个或更多的分立的功率管理元件.tps51116有极好的轻负载效率,在10ma时vddq的效率大于85%.高性能的ldo能提供峰值3a的电流源/沉,仅需要2x10uf的陶瓷输出电容.

  tps51116内的开关采用称之为d-cap模式的技术,负载突变的瞬态响应时间100ns,大大地降低了外接输出电容的数量.d-cap模式还省去了外接回路补偿.集成的ldo需要2x10uf陶瓷输出电容,由于降低了输入电压而大大地降低了系统中的功率损耗.能支持许多种设计类型,vddq电压可以是可调的或固定在ddr的2.5v或ddr ii的1.8v.

tps51116的主要特性如下:

输入电压从3v到28v,
有100ns负载突变响应的d-cap模式,
vtt和vref的精确度+/-20mv,
睡眠模式操作,用于输出放电时可选择关闭软起动,
vtt仅需要2x10uf的陶瓷输出电容,
有热关断,功率良好,过压保护和欠压保护,
和ddr和ddr ii jedec标语兼容.

  除了高速集成的tps51116,ti还推出10引脚msop封装的3a电流源/沉的调整器,特别用于低成本的空间受到限制的ddr和ddr ii系统.tps51100的特性和tps51116有许多相同之处,包括2x10uf陶瓷输出电容和遥控传感功能.

tps51116现已批量生产.器件是20引脚powerpad htssop封装.1k量的单价为$1.20.1k量的tps51100的单价为$0.80.

  ti公司推出新的高效率功率管理器件tps5116,它组合了dc/dc开关模式控制器和线性低压降(ldo)调整器,以增加功率性能.这种高度集成的器件大大地降低了所有ddr系统如micron的ddr和ddr ii系统的功率管理外接元件.

  ti的新的tps51116集成了用来向vddq加电的同步电流模式dc/dc控制器和用来向vtt加电的3a ldo调整器以及一个缓冲基准电源vref.完全和ddr和ddr ii jedec标准兼容,完整的ddr电源解决方案由用于开关的电源和增加几个外接电阻和电容组成,作为比较,当今的系统则需要18个或更多的分立的功率管理元件.tps51116有极好的轻负载效率,在10ma时vddq的效率大于85%.高性能的ldo能提供峰值3a的电流源/沉,仅需要2x10uf的陶瓷输出电容.

  tps51116内的开关采用称之为d-cap模式的技术,负载突变的瞬态响应时间100ns,大大地降低了外接输出电容的数量.d-cap模式还省去了外接回路补偿.集成的ldo需要2x10uf陶瓷输出电容,由于降低了输入电压而大大地降低了系统中的功率损耗.能支持许多种设计类型,vddq电压可以是可调的或固定在ddr的2.5v或ddr ii的1.8v.

tps51116的主要特性如下:

输入电压从3v到28v,
有100ns负载突变响应的d-cap模式,
vtt和vref的精确度+/-20mv,
睡眠模式操作,用于输出放电时可选择关闭软起动,
vtt仅需要2x10uf的陶瓷输出电容,
有热关断,功率良好,过压保护和欠压保护,
和ddr和ddr ii jedec标语兼容.

  除了高速集成的tps51116,ti还推出10引脚msop封装的3a电流源/沉的调整器,特别用于低成本的空间受到限制的ddr和ddr ii系统.tps51100的特性和tps51116有许多相同之处,包括2x10uf陶瓷输出电容和遥控传感功能.

tps51116现已批量生产.器件是20引脚powerpad htssop封装.1k量的单价为$1.20.1k量的tps51100的单价为$0.80.

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