意法发布新款功率器件采用PolarPAK技术提升功率密度
发布时间:2008/6/3 0:00:00 访问次数:565
st与siliconix就使用polarpak技术达成协议。新封装的导线架与塑料密封类似于多数标准功率mosfet封装，确保了良好的裸片保护与制造的易处理。与标准so-8相比, polarpak的热耗散非常有效，它能在相同的占位面积内处理两倍电流。
新器件以st所有的最新stripfet技术制造，该技术基于提升的单元密度与更小的单元特性，占用了更小的芯片空间，同时实现极低的片上阻抗与损耗。10v时，20a stk800典型的rds(on) 值为6.0mohm，30a stk850的rds(on)值为2.9mohm。该封装通过提供超低的结到外壳热量阻抗与更低的结温确保两个mosfet的低片上阻抗特性。
低电容与总门电荷数，使stk800成为非绝缘dc/dc压降转换器中控制fet的理想选择，而极低的rds(on)值使stk850成为同步fet解决方案之一。它们的低工作温度确保了更高效率，并增加了寿命可靠性。新的封装改善了裸片保护、确保了制造的易处理，并保持与现有smd装配设备兼容。器件的多源兼容为客户提供了充足的灵活性。
新器件样品现已提供。以1,000件为单位，stk800定价1.20美元；stk850定价1.60美元。
st与siliconix就使用polarpak技术达成协议。新封装的导线架与塑料密封类似于多数标准功率mosfet封装，确保了良好的裸片保护与制造的易处理。与标准so-8相比, polarpak的热耗散非常有效，它能在相同的占位面积内处理两倍电流。
新器件以st所有的最新stripfet技术制造，该技术基于提升的单元密度与更小的单元特性，占用了更小的芯片空间，同时实现极低的片上阻抗与损耗。10v时，20a stk800典型的rds(on) 值为6.0mohm，30a stk850的rds(on)值为2.9mohm。该封装通过提供超低的结到外壳热量阻抗与更低的结温确保两个mosfet的低片上阻抗特性。
低电容与总门电荷数，使stk800成为非绝缘dc/dc压降转换器中控制fet的理想选择，而极低的rds(on)值使stk850成为同步fet解决方案之一。它们的低工作温度确保了更高效率，并增加了寿命可靠性。新的封装改善了裸片保护、确保了制造的易处理，并保持与现有smd装配设备兼容。器件的多源兼容为客户提供了充足的灵活性。
新器件样品现已提供。以1,000件为单位，stk800定价1.20美元；stk850定价1.60美元。
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