飞兆半导体推出7款全新microfet产品，为面向30v和20v以下低功耗应用业界最广泛的小外形尺寸器件系列增添新成员。这些microfet产品在单一器件中结合飞兆半导体先进的powertrench®和封装技术，比较传统的mosfet在性能和空间方面带来更多优势。例如，它们采用2mmx2mmx0.8mm模塑无脚封装(mlp)，较之于低压设计中常用的3mmx3mmx1.1mmssot-6封装mosfet体积减小55%及高度降低20%。相比sc-70封装的传统mosfet，这些新产品更具有出色的功耗和传导损耗特性。全新microfet器件兼具紧凑封装和高性能特性，成为电池充电、负载开关、升压与直流/直流转换，以及其它众多低功耗、空间受限功率管理应用的理想选择。

　　飞兆半导体通信产品市务总监chriswinkler表示：“飞兆半导体的microfet产品经专门设计，能够满足超紧凑、超薄低高度的便携式应用设备不断提升的热性能需求。通过推出7款采用最先进封装技术的器件，飞兆半导体为工程师提供了更为广泛的microfet产品选择，能提高其低压应用的热性能和电气性能，并同时节省线路板空间。”

　　在这些新microfet产品中，fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz和fdma1025p分别具备不同的配置，集成了单及双p沟道powertrenchmosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能，fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压(vgs)提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。

　　另外三款产品集成了n或p沟道mosfet和肖特基二极管。当中，fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管，并经优化以提升前向电压(vf)和反向泄漏电流(ir)，能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件fdfma2n028z采用n沟道mosfet和肖特基二极管组合，这种配置非常适合于升压应用。

　　这些产品采用无铅封装，能够满足甚至超越icp/jedec的j-std-020c标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。.

　　供货:现货

　　交货期:收到订单后12周内