与使用单独元件或共同封装的元件相比，将肖特基二极管与 mosfet 整合到单个芯片上不仅节省了板面空间，而且还通过三个主要方式提高了器件性能。首先，肖特基二极管中的正向压降 (vf) 远低于 mosfet 的内在体二极管中的压降。当在降压转换器应用中的停滞时间关闭 mosfet 时，这将实现极低的功耗。第二个改进是肖特基二极管的反向恢复电荷 (qrr) 比 mosfet 体二极管的 qrr更低。与标准 mosfet 体二极管相比，vishay siliconix skyfet 技术可使器件中的 qrr降低几乎 20%，这可在轻负载下提高转换器的效率。最后，将肖特基二极管整合到 mosfet 芯片中可消除在将它们作为单独元件安装到 pcb 或共同封装单独 mosfet 及肖特基二极管元件时存在的寄生电感。与共同封装的等同 mosfet/肖特基器件相比，si4642dy可实现更高的效率、更稳定的波长，以及在 4.5v 时低 55% 的导通电阻。