安森美半导体(on semiconductor)推出八款新型n沟道和p沟道、低压trench mosfet，以扩展其沟道技术器件系列。新器件为小信号、20v mosfet，适用于-430ma至-950ma应用，如功率负载开关、电源转换器电路和手机、数码相机、pda、寻呼机、媒体播放器，以及便携式gps系统中的电池管理等。

　　这些新型的低压mosfet采用安森美公司的trench技术，增大了沟道长度和等效沟道密度，同时降低了漏极和源极之间的电阻(rds(on))，其rds(on)范围介于150至900mω之间，因此可以导通更大电流。

　　安森美的这几款trench mosfet提供三种小型超薄封装选择，尺寸为1.6mm×1.6mm，厚度为0.6mm至1.0mm，有助于节省板空间。该公司将齐纳二极管集成入trench mosfet的门，以此提供良好的esd保护。

　　这八款低压trench mosfet器件中的nta4151pt1、nte4151pt1、ntzs3151pt1和ntzd3152pt1是用于850ma高端负载开关的p沟道mosfet，提供单模式和双模式；nta4153nt1、nte4153nt1和ntzd3154nt1是用于高达915ma低端负载开关的n沟道mosfet，提供单模式和双模式；ntzd3155ct1是互补n沟道和p沟道的组合，用于集成负载开关或小电流dc-dc转换。

　　上述每个器件均提供三种薄型1.6×1.6mm封装。6引脚高度为0.6mm的sot-563和3引脚高度0.8mm的sc-89为扁平引脚封装。3引脚高度为1.0mm的sc-75为鸥翼式器件。扁平引脚封装与业内标准的鸥翼式封装相比，具有额外的热性能。新器件每10,000件的批量单价在0.10美元至0.12美元之间(仅供参考)。