CBB8l（CBB221）型高压金属化/箔式聚丙烯薄膜电容器
发布时间:2008/6/3 0:00:00 访问次数:329
cbb81型(cbb221)型高压金属化/箔式聚丙烯薄膜电容器为内串联无感式结构，用阻燃环氧树脂包封，引脚为单向引出，具有损耗小、绝缘电阻高、能承受高电压与脉冲大电流等特点，适合在彩色电视机、显示器中作行回扫逆程电容器使用，也适用于其他电子设备的高压及脉冲电路。其外形如图一所示，主要特性参数见表一和表二。
图一 cbb8l(cbb221)型高压金属化/箔式聚丙烯薄膜电容器外形
表一 cbb8l(cbb221)型高压金属化/箔式聚丙烯薄膜电容器主要特性参数
表二 cbb8l(cbb221)型高压金属化/箔式聚丙烯薄膜电容器标称容量、额定电压与外形尺寸
cbb81型(cbb221)型高压金属化/箔式聚丙烯薄膜电容器为内串联无感式结构，用阻燃环氧树脂包封，引脚为单向引出，具有损耗小、绝缘电阻高、能承受高电压与脉冲大电流等特点，适合在彩色电视机、显示器中作行回扫逆程电容器使用，也适用于其他电子设备的高压及脉冲电路。其外形如图一所示，主要特性参数见表一和表二。
图一 cbb8l(cbb221)型高压金属化/箔式聚丙烯薄膜电容器外形
表一 cbb8l(cbb221)型高压金属化/箔式聚丙烯薄膜电容器主要特性参数
表二 cbb8l(cbb221)型高压金属化/箔式聚丙烯薄膜电容器标称容量、额定电压与外形尺寸
相关技术资料- 7-7AMOLED显示驱动芯片关键技术及应用
- 7-7CMOS图像传感器技术参数设计
- 7-7GB300 超级芯片应用需求分析
- 7-74NP 工艺NVIDIA Blackwell 架构 GPU
- 7-7GB300 芯片、NVL72 系统和液冷技术探究
- 7-7首个最新高端芯片人工智能服务器系统
- 7-5CV/CC InnoSwitch3-AQ 开关电源 IC
- 7-5URF1DxxM-60WR3系列应用前景分析
- 7-51-6W URA24xxN-xxWR3G系列优势特征
- 7-5闭环磁通门信号调节芯片NSDRV401
- 7-5SK-RiSC-SOM-H27X-V1.1应用探究
- 7-5RISC技术8位微控制器参数设计
- 相关IC型号
公网安备44030402000607
