万用表判断小功率晶体管是高频管还是低频管
发布时间:2008/6/3 0:00:00 访问次数:740
根据我国晶体管命名方法确定，截止频率大于等于3mhz的为高频管，小于3mhz的为低频管。在晶体管的型号脱落的情况下，可通过测量晶体管发射结反向击穿电压v(br)ebo。的方法，区分高频小功率晶体管和低频小功率晶体管。
在测量晶体管发射结反向击穿电压时，若电压表读数在1-8v左右则说明此晶体管为高频管。原因是:对于高频管来说已工作在反向击穿状态。若电压表的读数在lov以上，则表明该晶体管是低频管。
高频管的v(br)cbo都低于8v，低频管的v(br)cbo都高于lov，我们可以从晶体管手册中查出。下面随机抽查了几只高频管和低频管的v(br)cbo数值就可验证:3ag6≥0.5v，3ag324v，3ax3l≥lov，3ax41≤5ov，3dg5 5v，3dg4≥4v，3dx2≥i5v。
在测量晶体管发射结反向击穿电压时，若电压表读数在1-8v左右则说明此晶体管为高频管。原因是:对于高频管来说已工作在反向击穿状态。若电压表的读数在lov以上，则表明该晶体管是低频管。
高频管的v(br)cbo都低于8v，低频管的v(br)cbo都高于lov，我们可以从晶体管手册中查出。下面随机抽查了几只高频管和低频管的v(br)cbo数值就可验证:3ag6≥0.5v，3ag324v，3ax3l≥lov，3ax41≤5ov，3dg5 5v，3dg4≥4v，3dx2≥i5v。
根据我国晶体管命名方法确定，截止频率大于等于3mhz的为高频管，小于3mhz的为低频管。在晶体管的型号脱落的情况下，可通过测量晶体管发射结反向击穿电压v(br)ebo。的方法，区分高频小功率晶体管和低频小功率晶体管。
在测量晶体管发射结反向击穿电压时，若电压表读数在1-8v左右则说明此晶体管为高频管。原因是:对于高频管来说已工作在反向击穿状态。若电压表的读数在lov以上，则表明该晶体管是低频管。
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