这里以n沟道结型场效应管为例，说明结型场效应管的结构及基本工作原理。图为n沟道结型场效应管的结构示意图。在一块n型硅，材料(沟道)上引出两个电极，分别为源极(s)和漏极(d)。在它的两边各附一小片p型材料并引出一个电极，称为栅极(g)。这样在沟道和栅极间便形成了两个pn结。当栅极开路时，沟道相当于一个电阻，其阻值随型号而不同，一般为数百欧至数千欧。如果在漏极及源极之间加上电压uds，就有电流砧流过，id将随uds的增大而增大。如果给管子加上负偏差ugs时，pn结形成空间电荷区，其载流子很少，因而也叫耗尽区(如图a中阴影区所示)。其性能类似于绝缘体，反向偏压越大，耗尽区越宽，沟道电阻就越大，使斤减小，甚至完全截止。这样就达到了利用反向偏压所产生的电场来控制n型硅片(沟道)中的电流大小的目的。

　　从以上介绍的情况看，可以把场效应管与一般半导体三极管加以对比，即栅极相当于基极，源极相当于发射极，漏极相当于集电极。如果把硅片做成p型，而栅极做成n型，则成为p沟道结型场效应管。结型场效应管的符号如图b所示。