磁敏电阻器是利用磁阻效应制成的，其阻值会随穿过它的磁通量密度的变化而变化。
　　半导体磁阻元件在弱磁场中的电阻率p与磁感应强度b之间有如下的关系:

式中:ρ---在磁场中的电阻率;
ρ。--无磁场时的电阻率;
p---半导体中空穴载流子数量;
n---半导体中电子载流子数量;
μn、μp--载流子的迁移率;
b---磁感应强度。
　　从上式可以看出，当半导体材料确定时，磁敏电阻器的阻值与磁感应强度呈平方关系。上式仅适用于弱磁场，在强磁场下，磁敏电阻器的阻值与磁感应强度呈线性关系。
　　磁敏电阻器多采用锑化钢(insb)半导体材料制造。它主要用于测定磁场强度、测量频率和功率等的测量技术，运算技术，自动控制技术以及信息处理技术，并可用于制作无触点开关和可变元接触电位器等。