光敏二极管型光电耦合器主要特性参数
发布时间:2008/6/3 0:00:00 访问次数:494
表:光敏二极管型光电藕合器主要特性参数
注:表中ir为发光二极管的反向漏电流;vbm为光敏三极管最菏反向工作电压;vbr(vceo)为光敏三极管集电极与发射极击穿电压。
表:光敏二极管型光电藕合器主要特性参数
注:表中ir为发光二极管的反向漏电流;vbm为光敏三极管最菏反向工作电压;vbr(vceo)为光敏三极管集电极与发射极击穿电压。
上一篇：光电耦合器常用特性参数及符号
相关技术资料- 7-14NeuPro NPUs+ SensPro DSP技术参数设计
- 7-14双通道ATA-2022H高压放大器
- 7-14旗舰大模型Grok 4、Grok 4 API发展趋势
- 7-14耦合仿真技术及高保真模型试验技术应用探究
- 7-14GPU、FPGA、ASIC。GPU、FPGA技术解释
- 7-14ASIC/FPGA/GPU芯片及边缘-云端
- 7-12PWM输入功率驱动器工作原理
- 7-12隔离式 DC/DC 变换器和模块优势特征
- 7-12解读集成4 个高效降压 DC/DC 变换器
- 7-12数字隔离功能全集成 DC/DC 电源变换器简述
- 7-12集成低噪声电流输入模数转换器 (ADC)应用详解
- 7-12128 通道20 位电流数字转换器应用探究
- 相关IC型号
公网安备44030402000607
