1引言

igbt是mosfet与双极晶体管的复合器件。它既有mosfet易驱动的特点，又具有功率晶体管电压、电流容量大等优点。其频率特性介于mosfet与功率晶体管之间，可正常工作于几十khz频率范围内，故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。

igbt是电压控制型器件，在它的栅极?发射极间施加十几v的直流电压，只有μa级的漏电流流过，基本上不消耗功率。但igbt的栅极?发射极间存在着较大的寄生电容（几千至上万pf），在驱动脉冲电压的上升及下降沿需要提供数a的充放电电流，才能满足开通和关断的动态要求，这使得它的驱动电路也必须输出一定的峰值电流。

igbt作为一种大功率的复合器件，存在着过流时可能发生锁定现象而造成损坏的问题。在过流时如采用一般的速度封锁栅极电压，过高的电流变化率会引起过电压，为此需要采用软关断技术，因而掌握好igbt的驱动和保护特性是十分必要的。

2栅极特性

igbt的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般只能达到20～30v，因此栅极击穿是igbt失效的常见原因之一。在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极－集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此。通常采用绞线来传送驱动信号，以减小寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。

由于igbt的栅极－发射极和栅极－集电极间存在着分布电容cge和cgc，以及发射极驱动电路中存在有分布电感le，这些分布参数的影响，使得igbt的实际驱动波形与理想驱动波形不完全相同，并产生了不利于igbt开通和关断的因素。这可以用带续流二极管的电感负载电路（见图1）得到验证。

在t0时刻，栅极驱动电压开始上升，此时影响栅极电压uge上升斜率的主要因素只有rg和cge，栅极电压上升较快。在t1时刻达到igbt的栅极门槛值，集电极电流开始上升。从此时开始有2个原因导致uge波形偏离原有的轨迹。

首先，发射极电路中的分布电感le上的感应电压随着集电极电流ic的增加而加大，从而削弱了栅极驱动电压，并且降低了栅极－发射极间的uge的上升率，减缓了集电极电流的增长。

其次，另一个影响栅极驱动电路电压的因素是栅极－集电极电容cgc的密勒效应。t2时刻，集电极电流达到最大值，进而栅极－集电极间电容cgc开始放电，在驱动电路中增加了cgc的容性电流，使得在驱动电路内阻抗上的压降增加，也削弱了栅极驱动电压。显然，栅极驱动电路的阻抗越低，这种效应越弱，此效应一直维持到t3时刻，uce降到零为止。它的影响同样减缓了igbt的开通过程。在t3时刻后，ic达到稳态值，影响栅极电压uge的因素消失后，uge以较快的上升率达到最大值。

由图1波形可看出，由于le和cgc的存在，在igbt的实际运行中uge的上升速率减缓了许多，这种阻碍驱动电压上升的效应，表现为对集电极电流上升及开通过程的阻碍。为了减缓此效应，应使igbt模块的le和cgc及栅极驱动电路的内阻尽量小，以获得较快的开通速度。

igbt关断时的波形如图2所示。t0时刻栅极驱动电压开始下降，在t1时刻达到刚能维持集电极正常工作电流的水平，igbt进入线性工作区，uce开始上升，此时，栅极－集电极间电容cgc的密勒效应支配着uce的上升，因cgc耦合充电作用，uge在t1－t2期间基本不变，在t2时刻uge和ic开始以栅极－发射极间固有阻抗所决定的速度下降，在t3时，uge及ic均降为零，关断结束。

由图2可看出，由于电容cgc的存在，使得igbt的关断过程也延长了许多。为了减小此影响，一方面应选择cgc较小的igbt器件；另一方面应减小驱动电路的内阻抗，使流入cgc的充电电流增加，加快了uce的上升速度。

在实际应用中，igbt的uge幅值也影响着饱和导通压降：uge增加，饱和导通电压将减小。由于饱和导通电压是igbt发热的主要原因之一，因此必须尽量减小。通常uge为15～18v，若过高，容易造成栅极击穿。一般取15v。igbt关断时给其栅极－发射极加一定的负偏压有利于提高igbt的抗骚扰能力，通常取5～10v。

3栅极串联电阻对栅极驱动波形的影响

栅极驱动电压的上升、下降速率对igbt开通关断过程有着较大的影响。igbt的mos沟道受栅极电压的直接控制，而mosfet部分的漏极电流控制着双极部分的栅极电流，使得igbt的开通特性主要决定于它的mosfet部分，所以igbt的开通受栅极驱动波形的影响较大。igbt的关断特性主要取决于内部少子的复合速率，少子的复合受mosfet的关断影响，所以栅极驱动对igbt的关断也有影响。
在高频应用时，驱动电压的上升、下降速率应快一些，以提高igbt开关速率降低损耗。

在正常状态下igbt开通越快