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存储器卡接口电平转换与信号保护

发布时间:2008/6/3 0:00:00 访问次数:410

图1所示电路给出max13030e-max13035e逻辑电平转换器ic在存储卡信号逻辑电平转换中的应用,并可保护信号避免在±15kv hbm (人体模型) esd冲击情况下损坏。例如,max13035e可从任意存储卡控制器(如基带处理器、应用处理器或多媒体处理器)获得1.8v信号,并自动将其转换到3.3v。该器件可进行双向电平转换(3.3v转换为1.8v),适用于sd卡、mmc、transflash? (microsd)、minisd、记忆棒、记忆棒pro以及类似的存储卡。

这些器件采用独特的设计架构,无需使用方向(dir)或写/读(w/r)控制端指示数据方向,具有如下好处:首先,只需极少的信号线,可大大减小max13035e系列的封装尺寸,采用2mm x 2mm、16焊球ucsp封装。其次,原本用于指示信号方向的基带处理器i/o可用作其它目的,由于减少了数据线,可以获得紧凑的电路板布局。

max13035e专有的设计架构还可利用内部电流源检验高阻输入时的总线状态,这种设计无需外部上拉或下拉电阻。通道间可相互转换,并且兼容高达50mhz (100mbps)的cmos推挽信号和200khz (400kbps)的开漏信号。这一灵活性非常适合mmc存储卡接口的漏极开路应用(初始化模式)。

当vcc < vl,如vcc断开时,max13035e和max13030e系列的其它器件都将关断。max13030e-max13034e带有一个en引脚,驱动该引脚为低时,器件处于低功耗关断状态。max13035e没有en引脚,但可利用clk_ret引脚代替,将时钟信号反馈至主处理器,如图2所示。某些sd卡控制器可利用该信号提高性能。

max13015e系列器件在vcc侧的所有i/o端都提供高达±15kv (hbm)的增强esd保护功能。需采用一只1μf的陶瓷电容旁路vcc,确保满足esd保护要求。

图1电路还给出了如何采用max3202ee对card_detect信号和write_protect信号提供esd保护。采用该电路时,推荐使用由sd卡连接器提供的card_detect,而不是dat3的上拉电阻。这是因为max13035e不支持卡检测的上拉。



图1所示电路给出max13030e-max13035e逻辑电平转换器ic在存储卡信号逻辑电平转换中的应用,并可保护信号避免在±15kv hbm (人体模型) esd冲击情况下损坏。例如,max13035e可从任意存储卡控制器(如基带处理器、应用处理器或多媒体处理器)获得1.8v信号,并自动将其转换到3.3v。该器件可进行双向电平转换(3.3v转换为1.8v),适用于sd卡、mmc、transflash? (microsd)、minisd、记忆棒、记忆棒pro以及类似的存储卡。

这些器件采用独特的设计架构,无需使用方向(dir)或写/读(w/r)控制端指示数据方向,具有如下好处:首先,只需极少的信号线,可大大减小max13035e系列的封装尺寸,采用2mm x 2mm、16焊球ucsp封装。其次,原本用于指示信号方向的基带处理器i/o可用作其它目的,由于减少了数据线,可以获得紧凑的电路板布局。

max13035e专有的设计架构还可利用内部电流源检验高阻输入时的总线状态,这种设计无需外部上拉或下拉电阻。通道间可相互转换,并且兼容高达50mhz (100mbps)的cmos推挽信号和200khz (400kbps)的开漏信号。这一灵活性非常适合mmc存储卡接口的漏极开路应用(初始化模式)。

当vcc < vl,如vcc断开时,max13035e和max13030e系列的其它器件都将关断。max13030e-max13034e带有一个en引脚,驱动该引脚为低时,器件处于低功耗关断状态。max13035e没有en引脚,但可利用clk_ret引脚代替,将时钟信号反馈至主处理器,如图2所示。某些sd卡控制器可利用该信号提高性能。

max13015e系列器件在vcc侧的所有i/o端都提供高达±15kv (hbm)的增强esd保护功能。需采用一只1μf的陶瓷电容旁路vcc,确保满足esd保护要求。

图1电路还给出了如何采用max3202ee对card_detect信号和write_protect信号提供esd保护。采用该电路时,推荐使用由sd卡连接器提供的card_detect,而不是dat3的上拉电阻。这是因为max13035e不支持卡检测的上拉。



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