三洋发布最新TFT栅极驱动芯片TND32x系列
发布时间:2008/6/3 0:00:00 访问次数:433
三洋半导体(sanyo)发布了安装面积减至一半以下的栅极交换驱动ictnd32x系列。采取自主封装,外形尺寸为2.8mm×2.9mm×0.75mm,8端子vec内封装有2个通道,作为2通道产品,实现了最小、最薄设计。调整了内置元件的工艺和芯片排列,与此前的8端子tssop产品相比,安装面积减小约58%,厚度减小25%。
电源电压范围为4.5~25v,电源电压为18v时,可输出+0.8a/-1.0a的电流。电源电压为18v、输入容量为1,000pf时,响应时间为30ns。输入电压方面,高压为2.6v,低压为0.8v。用于满足影像设备和照明器材的高耐压、高输出电流、高速交换需求。与功率mosfet和igbt等配合作为控制用微处理器的接口使用。主要用于液晶电视的背照灯和照明用逆变器的驱动以及等离子电视的等离子放电等用途。
通过将复数个离散电路封装在一个芯片中,使该产品具有削减零部件数量、节约成本、提高效率、减小体积与厚度等优点,成为功率半导体与高频产品群“expd(excellentperformancepower&rfdevices)”系列中的一个产品。根据用途,备有逆变器×2通道、缓冲器×2通道以及逆变器与缓冲器×各1通道的3种款式。计划2007年7月开始样品供货。样品价格为150日元。生产规模为计划07年底月产100万个。
电源电压范围为4.5~25v,电源电压为18v时,可输出+0.8a/-1.0a的电流。电源电压为18v、输入容量为1,000pf时,响应时间为30ns。输入电压方面,高压为2.6v,低压为0.8v。用于满足影像设备和照明器材的高耐压、高输出电流、高速交换需求。与功率mosfet和igbt等配合作为控制用微处理器的接口使用。主要用于液晶电视的背照灯和照明用逆变器的驱动以及等离子电视的等离子放电等用途。
通过将复数个离散电路封装在一个芯片中,使该产品具有削减零部件数量、节约成本、提高效率、减小体积与厚度等优点,成为功率半导体与高频产品群“expd(excellentperformancepower&rfdevices)”系列中的一个产品。根据用途,备有逆变器×2通道、缓冲器×2通道以及逆变器与缓冲器×各1通道的3种款式。计划2007年7月开始样品供货。样品价格为150日元。生产规模为计划07年底月产100万个。
三洋半导体(sanyo)发布了安装面积减至一半以下的栅极交换驱动ictnd32x系列。采取自主封装,外形尺寸为2.8mm×2.9mm×0.75mm,8端子vec内封装有2个通道,作为2通道产品,实现了最小、最薄设计。调整了内置元件的工艺和芯片排列,与此前的8端子tssop产品相比,安装面积减小约58%,厚度减小25%。
电源电压范围为4.5~25v,电源电压为18v时,可输出+0.8a/-1.0a的电流。电源电压为18v、输入容量为1,000pf时,响应时间为30ns。输入电压方面,高压为2.6v,低压为0.8v。用于满足影像设备和照明器材的高耐压、高输出电流、高速交换需求。与功率mosfet和igbt等配合作为控制用微处理器的接口使用。主要用于液晶电视的背照灯和照明用逆变器的驱动以及等离子电视的等离子放电等用途。
通过将复数个离散电路封装在一个芯片中,使该产品具有削减零部件数量、节约成本、提高效率、减小体积与厚度等优点,成为功率半导体与高频产品群“expd(excellentperformancepower&rfdevices)”系列中的一个产品。根据用途,备有逆变器×2通道、缓冲器×2通道以及逆变器与缓冲器×各1通道的3种款式。计划2007年7月开始样品供货。样品价格为150日元。生产规模为计划07年底月产100万个。
电源电压范围为4.5~25v,电源电压为18v时,可输出+0.8a/-1.0a的电流。电源电压为18v、输入容量为1,000pf时,响应时间为30ns。输入电压方面,高压为2.6v,低压为0.8v。用于满足影像设备和照明器材的高耐压、高输出电流、高速交换需求。与功率mosfet和igbt等配合作为控制用微处理器的接口使用。主要用于液晶电视的背照灯和照明用逆变器的驱动以及等离子电视的等离子放电等用途。
通过将复数个离散电路封装在一个芯片中,使该产品具有削减零部件数量、节约成本、提高效率、减小体积与厚度等优点,成为功率半导体与高频产品群“expd(excellentperformancepower&rfdevices)”系列中的一个产品。根据用途,备有逆变器×2通道、缓冲器×2通道以及逆变器与缓冲器×各1通道的3种款式。计划2007年7月开始样品供货。样品价格为150日元。生产规模为计划07年底月产100万个。