与瑞萨科技当前的产品相比，在引脚兼容的同样封装中可降低超过20%的功率损耗—

　　瑞萨科技公司（renesastechnologycorp.）宣布，推出采用56引脚qfn封装。该器件集成了一个驱动器ic和两个高端/低端*1功率mosfet的r2j20602np，可用于pc、服务器等产品的cpu稳压器（vr）。

　　r2j20602np符合英特尔公司提议的“集成驱动器mosfet（drmos）”封装标准（以下称作“drmos”）。它集成了一个驱动器ic和两个高端/低端开关电源mosfet。r2j20602np是瑞萨科技继第一代的r2j20601np支后开发的第二代drmos标准兼容产品，也是在工艺和封装结构方面进行了改进的更高性能的第二代产品。

　　r2j20602np的特性总结如下。

（1）40a的最大输出电流
　　40a的最大输出电流——代表了业界的最高性能——采用瑞萨科技的高性能功率mosfet技术、新开发的高辐射/低损耗封装，以及专为功率mosfet性能而优化的高速驱动器ic。这些技术支持需要大电流的cpu、fpga和存储器等电子元件。

（2）与当前的瑞萨产品相比，功率损耗降低20%以上
　　当工作在1mhz开关频率时，其大约为89%的最高效率实现了业界最高水平（vin=12v，vout=1.3v）。其输出电流为25a，功率损耗为4.4w——业界的最低水平——比瑞萨当前的r2j20601np低至少20%。使用r2j20602np有助于实现高效的电源配置，并抑制散热量，从而开发出一个节能的最终产品。

（3）小型封装与第一代产品引脚安排兼容
　　其封装与瑞萨当前的r2j20601np引脚安排兼容。8×8×0.95（mm）的小型56引脚qfn封装适用于高速交换，有助于使用更小的外部电感器和电容器等无源元件，并可减少元件数量。这将使vr变得更小。

<产品背景>
　　随着因特网等宽带应用的不断增长，pc和服务器需要处理更大的信息量并提供越来越先进的功能。与这个要求一致，cpu、fpga和存储器等电子元件越来越需要更低的电压和更大的电流，而且要求电源具有快速响应、更低的电压和更大的电流，以及更高效率和更小的尺寸等方面的能力。

　　作为增加vr频率和效率的关键器件，瑞萨科技及时发布了分立式高性能功率mosfet和公司第一代的drmos兼容产品r2j20601np。

　　然而，在刀片服务器*2、硬盘设备等领域出现了全面产品小型化和密度改善方面的迫切需求，使电源电路变得更小，同时具有更低的损耗和发热量特点非常重要。因此，低损耗性能的主要改进是构成电源电路关键元素所需的功率器件。为了满足这样的市场需求，瑞萨科技现在开发出了其第二代的drmos兼容产r2j20602np，实现了超过公司当前产品20%的更低的损耗。

<其他产品细节>
　　r2j20602np在56引脚qfn封装中集成了两个功率mosfet和一个驱动器ic（一个高端mosfet和一个低端mosfet）。单封装设计有助于大幅度降低器件之间的布线寄生电感*3，使r2j20602np适用于高频操作。瑞萨科技用在这个产品中的最新功率mosfet可提供业界最高的性能。低端mosfet集成了肖特基势垒二极管，可以减少开关损耗，驱动器ic专门用来优化mosfet的通/断控制。

　　该封装采用无铅高辐射类型小安装面积封装，符合英特尔公司提出的drmos封装标准。最小的封装尺寸为8×8×0.95（mm），封装内采用的是无线铜板构造（copperplateconstruction）内部连接，可大幅度降低阻抗。占用了封装背面大部分表面的引脚可以增加电流路径，有助于处理电流和散热问题。

　　新型r2j20602np第二代drmos兼容产品是专门为12v输入的低电压输出应用优化的，例如，在f=1mhz，vin=12v，和vout=1.3v的条件下，可实现业界约89%的最高效率水平。高速运行可使外部无源元件更小，元件数量更少，从而减小电源的尺寸。

　　瑞萨科技计划进一步开发满足更低损耗的产品，扩展其高性能产品阵容。