德州仪器推出4A高速MOSFET驱动器,有效简化电源设计
发布时间:2008/6/3 0:00:00 访问次数:465
ti的tps28225驱动器以4.5v至8.8v电压控制mosfet栅极,从而实现了高效率和低电磁干扰(emi),在7v至8v电压范围内,每相位电流超过40a时器件效率达到最高。tps28225实现了14ns自适应停滞时间控制、14ns传输延迟时间、2a大电流电源以及4a吸入驱动功能。该驱动器的其他特性还包括低阻抗吸入(典型值为0.4欧姆)与源电流(典型值为1欧姆)功能 ;可接受宽泛的电压输入信号范围(3v至24v范围);单引脚上支持space-saving(输入)与powergood(输出)信号;独特的输入级可与所有业界标准的模拟与数字控制器相兼容;提供针对窄占空比信号的智能管理功能。
ti电源控制业务部的产品线经理larryspaziani指出:“电源系统设计人员在采用5v与12v标准驱动器的过程中不断要求实现更高的工作效率与性能。采用tps28225的几家顶级电源客户不仅将功率效率提高了3%到8%,而且还提高了开关频率,减小了模块尺寸,并显著改善了瞬态响应。”
针对较低栅极驱动器,驱动器的0.4欧姆阻抗可使功率mosfet的栅极低于阈值电平,以确保高dv/dt相位节点转换时不会出现贯通电流。内部二极管充电的自举电容器使器件能在半桥配置下使用n通道mosfet。tps28225提供的三态脉宽调制(pwm)输入与titps40091等所有多相控制器相兼容。断电模式则能使负载免受反向输出电压的影响。
tps28225 mosfet驱动器现已投入量产,可通过ti及其授权分销商订购获得。该器件采用低成本的8引脚soicdfn封装与散热增强型3毫米×3毫米8引脚dfn封装两种封装版本。批量为1,000片时的建议零售单价为0.60美元。
ti的tps28225驱动器以4.5v至8.8v电压控制mosfet栅极,从而实现了高效率和低电磁干扰(emi),在7v至8v电压范围内,每相位电流超过40a时器件效率达到最高。tps28225实现了14ns自适应停滞时间控制、14ns传输延迟时间、2a大电流电源以及4a吸入驱动功能。该驱动器的其他特性还包括低阻抗吸入(典型值为0.4欧姆)与源电流(典型值为1欧姆)功能 ;可接受宽泛的电压输入信号范围(3v至24v范围);单引脚上支持space-saving(输入)与powergood(输出)信号;独特的输入级可与所有业界标准的模拟与数字控制器相兼容;提供针对窄占空比信号的智能管理功能。
ti电源控制业务部的产品线经理larryspaziani指出:“电源系统设计人员在采用5v与12v标准驱动器的过程中不断要求实现更高的工作效率与性能。采用tps28225的几家顶级电源客户不仅将功率效率提高了3%到8%,而且还提高了开关频率,减小了模块尺寸,并显著改善了瞬态响应。”
针对较低栅极驱动器,驱动器的0.4欧姆阻抗可使功率mosfet的栅极低于阈值电平,以确保高dv/dt相位节点转换时不会出现贯通电流。内部二极管充电的自举电容器使器件能在半桥配置下使用n通道mosfet。tps28225提供的三态脉宽调制(pwm)输入与titps40091等所有多相控制器相兼容。断电模式则能使负载免受反向输出电压的影响。
tps28225 mosfet驱动器现已投入量产,可通过ti及其授权分销商订购获得。该器件采用低成本的8引脚soicdfn封装与散热增强型3毫米×3毫米8引脚dfn封装两种封装版本。批量为1,000片时的建议零售单价为0.60美元。