Linear推出高速同步N沟道MOSFET驱动器LTC4442/-1
发布时间:2008/6/3 0:00:00 访问次数:350
这个强大的驱动器可以吸收高达 5a 电流和提供高达 2.4a 电流,非常适用于驱动大栅极电容、大电流 mosfet。ltc4442/-1 还可以为较大电流应用驱动多个并联 mosfet。当驱动 3000pf 负载时,12ns 快速上升时间以及高端 mosfet 的 8ns 下降时间和低端 mosfet 的 5ns 下降时间最大限度地降低了开关损耗。集成自适应贯通保护功能防止高端和低端mosfet同时导通,从而最大限度地减少了死区时间。
ltc4442/-1 具有一个用于电源级关断的三态 pwm 输入,它与所有具备三态输出功能的多相控制器兼容。另外,该器件有一个单独的电源,用于输入逻辑与控制器集成电路的信号摆幅匹配,并在驱动器和逻辑电源端有欠压闭锁电路。该器件还在 6.2v 至 9.5v 的范围内驱动高端和低端 mosfet 栅极,并在电源电压高达 38v 时工作。ltc4442-1 版本有较高的 6.2v vcc 欠压闭锁,而不是 3.2v,用来驱动标准 5v 逻辑 n 沟道 mosfet。
ltc4442/-1性能概要
- 同步 n 沟道 mosfet 驱动器
- 高驱动电流:提供 2.4a,吸收 5a
- 自适应零贯通保护
- 高端 mosfet 栅极:驱动 3000pf 负载时,上升时间为 12ns,下降时间为 8ns
- 低端 mosfet 栅极:驱动 3000pf 负载时,上升时间为 12ns,下降时间为 5ns
- 3 态 pwm 输入用于功率级关断
- 38v 最大电源电压
- 6.2v 至 9.5v 栅极驱动电压
- ltc4442 的 uvlo 为 3.2v
- ltc4442-1 的 uvlo 为 6.2v
ltc4442/-1 采用耐热增强型 msop-8 封装,在-40℃至85℃的温度范围内工作,以 1,000 片为单位批量购买,每片价格为 1.25 美元。
这个强大的驱动器可以吸收高达 5a 电流和提供高达 2.4a 电流,非常适用于驱动大栅极电容、大电流 mosfet。ltc4442/-1 还可以为较大电流应用驱动多个并联 mosfet。当驱动 3000pf 负载时,12ns 快速上升时间以及高端 mosfet 的 8ns 下降时间和低端 mosfet 的 5ns 下降时间最大限度地降低了开关损耗。集成自适应贯通保护功能防止高端和低端mosfet同时导通,从而最大限度地减少了死区时间。
ltc4442/-1 具有一个用于电源级关断的三态 pwm 输入,它与所有具备三态输出功能的多相控制器兼容。另外,该器件有一个单独的电源,用于输入逻辑与控制器集成电路的信号摆幅匹配,并在驱动器和逻辑电源端有欠压闭锁电路。该器件还在 6.2v 至 9.5v 的范围内驱动高端和低端 mosfet 栅极,并在电源电压高达 38v 时工作。ltc4442-1 版本有较高的 6.2v vcc 欠压闭锁,而不是 3.2v,用来驱动标准 5v 逻辑 n 沟道 mosfet。
ltc4442/-1性能概要
- 同步 n 沟道 mosfet 驱动器
- 高驱动电流:提供 2.4a,吸收 5a
- 自适应零贯通保护
- 高端 mosfet 栅极:驱动 3000pf 负载时,上升时间为 12ns,下降时间为 8ns
- 低端 mosfet 栅极:驱动 3000pf 负载时,上升时间为 12ns,下降时间为 5ns
- 3 态 pwm 输入用于功率级关断
- 38v 最大电源电压
- 6.2v 至 9.5v 栅极驱动电压
- ltc4442 的 uvlo 为 3.2v
- ltc4442-1 的 uvlo 为 6.2v
ltc4442/-1 采用耐热增强型 msop-8 封装,在-40℃至85℃的温度范围内工作,以 1,000 片为单位批量购买,每片价格为 1.25 美元。