凌力尔特公司推出高速同步MOSFET驱动器
发布时间:2008/6/3 0:00:00 访问次数:310
凌力尔特公司(linear technology corporation)推出高速同步mosfet驱动器ltc4442/-1,该器件用来在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端n沟道功率mosfet。这种驱动器与凌力尔特公司很多dc/dc控制器组合使用时,可组成完整的高效率同步稳压器,该稳压器可用作降压或升压型dc/dc转换器。
这个强大的驱动器可以吸收高达5a电流和提供高达2.4a电流,非常适用于驱动大栅极电容、大电流 mosfet。ltc4442/-1还可以为较大电流应用驱动多个并联mosfet。当驱动3000pf负载时,12ns快速上升时间以及高端mosfet的8ns下降时间和低端mosfet的5ns下降时间最大限度地降低了开关损耗。集成自适应贯通保护功能防止高端和低端mosfet同时导通,从而最大限度地减少了死区时间。
ltc4442/-1具有一个用于电源级关断的三态pwm输入,它与所有具备三态输出功能的多相控制器兼容。另外,该器件有一个单独的电源,用于输入逻辑与控制器集成电路的信号摆幅匹配,并在驱动器和逻辑电源端有欠压闭锁电路。该器件还在6.2v至9.5v的范围内驱动高端和低端mosfet栅极,并在电源电压高达38v时工作。ltc4442-1版本有较高的6.2v vcc欠压闭锁,而不是3.2v,用来驱动标准5v逻辑n沟道 mosfet。
ltc4442/-1采用耐热增强型msop-8封装,在-40℃至85℃的温度范围内工作,以1,000片为单位批量购买,每片价格为1.25美元。
性能概要:ltc4442/-1
◆同步n沟道mosfet驱动器
◆高驱动电流:提供2.4a,吸收5a
◆自适应零贯通保护
◆高端mosfet栅极:驱动3000pf负载时,上升时间为12ns,下降时间为8ns
◆低端mosfet栅极:驱动3000pf负载时,上升时间为12ns,下降时间为5ns
◆3态pwm输入用于功率级关断
◆38v最大电源电压
◆6.2v至9.5v栅极驱动电压
◆ltc4442的uvlo为3.2v
◆ltc4442-1的uvlo为6.2v
这个强大的驱动器可以吸收高达5a电流和提供高达2.4a电流,非常适用于驱动大栅极电容、大电流 mosfet。ltc4442/-1还可以为较大电流应用驱动多个并联mosfet。当驱动3000pf负载时,12ns快速上升时间以及高端mosfet的8ns下降时间和低端mosfet的5ns下降时间最大限度地降低了开关损耗。集成自适应贯通保护功能防止高端和低端mosfet同时导通,从而最大限度地减少了死区时间。
ltc4442/-1具有一个用于电源级关断的三态pwm输入,它与所有具备三态输出功能的多相控制器兼容。另外,该器件有一个单独的电源,用于输入逻辑与控制器集成电路的信号摆幅匹配,并在驱动器和逻辑电源端有欠压闭锁电路。该器件还在6.2v至9.5v的范围内驱动高端和低端mosfet栅极,并在电源电压高达38v时工作。ltc4442-1版本有较高的6.2v vcc欠压闭锁,而不是3.2v,用来驱动标准5v逻辑n沟道 mosfet。
ltc4442/-1采用耐热增强型msop-8封装,在-40℃至85℃的温度范围内工作,以1,000片为单位批量购买,每片价格为1.25美元。
性能概要:ltc4442/-1
◆同步n沟道mosfet驱动器
◆高驱动电流:提供2.4a,吸收5a
◆自适应零贯通保护
◆高端mosfet栅极:驱动3000pf负载时,上升时间为12ns,下降时间为8ns
◆低端mosfet栅极:驱动3000pf负载时,上升时间为12ns,下降时间为5ns
◆3态pwm输入用于功率级关断
◆38v最大电源电压
◆6.2v至9.5v栅极驱动电压
◆ltc4442的uvlo为3.2v
◆ltc4442-1的uvlo为6.2v
凌力尔特公司(linear technology corporation)推出高速同步mosfet驱动器ltc4442/-1,该器件用来在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端n沟道功率mosfet。这种驱动器与凌力尔特公司很多dc/dc控制器组合使用时,可组成完整的高效率同步稳压器,该稳压器可用作降压或升压型dc/dc转换器。
这个强大的驱动器可以吸收高达5a电流和提供高达2.4a电流,非常适用于驱动大栅极电容、大电流 mosfet。ltc4442/-1还可以为较大电流应用驱动多个并联mosfet。当驱动3000pf负载时,12ns快速上升时间以及高端mosfet的8ns下降时间和低端mosfet的5ns下降时间最大限度地降低了开关损耗。集成自适应贯通保护功能防止高端和低端mosfet同时导通,从而最大限度地减少了死区时间。
ltc4442/-1具有一个用于电源级关断的三态pwm输入,它与所有具备三态输出功能的多相控制器兼容。另外,该器件有一个单独的电源,用于输入逻辑与控制器集成电路的信号摆幅匹配,并在驱动器和逻辑电源端有欠压闭锁电路。该器件还在6.2v至9.5v的范围内驱动高端和低端mosfet栅极,并在电源电压高达38v时工作。ltc4442-1版本有较高的6.2v vcc欠压闭锁,而不是3.2v,用来驱动标准5v逻辑n沟道 mosfet。
ltc4442/-1采用耐热增强型msop-8封装,在-40℃至85℃的温度范围内工作,以1,000片为单位批量购买,每片价格为1.25美元。
性能概要:ltc4442/-1
◆同步n沟道mosfet驱动器
◆高驱动电流:提供2.4a,吸收5a
◆自适应零贯通保护
◆高端mosfet栅极:驱动3000pf负载时,上升时间为12ns,下降时间为8ns
◆低端mosfet栅极:驱动3000pf负载时,上升时间为12ns,下降时间为5ns
◆3态pwm输入用于功率级关断
◆38v最大电源电压
◆6.2v至9.5v栅极驱动电压
◆ltc4442的uvlo为3.2v
◆ltc4442-1的uvlo为6.2v
这个强大的驱动器可以吸收高达5a电流和提供高达2.4a电流,非常适用于驱动大栅极电容、大电流 mosfet。ltc4442/-1还可以为较大电流应用驱动多个并联mosfet。当驱动3000pf负载时,12ns快速上升时间以及高端mosfet的8ns下降时间和低端mosfet的5ns下降时间最大限度地降低了开关损耗。集成自适应贯通保护功能防止高端和低端mosfet同时导通,从而最大限度地减少了死区时间。
ltc4442/-1具有一个用于电源级关断的三态pwm输入,它与所有具备三态输出功能的多相控制器兼容。另外,该器件有一个单独的电源,用于输入逻辑与控制器集成电路的信号摆幅匹配,并在驱动器和逻辑电源端有欠压闭锁电路。该器件还在6.2v至9.5v的范围内驱动高端和低端mosfet栅极,并在电源电压高达38v时工作。ltc4442-1版本有较高的6.2v vcc欠压闭锁,而不是3.2v,用来驱动标准5v逻辑n沟道 mosfet。
ltc4442/-1采用耐热增强型msop-8封装,在-40℃至85℃的温度范围内工作,以1,000片为单位批量购买,每片价格为1.25美元。
性能概要:ltc4442/-1
◆同步n沟道mosfet驱动器
◆高驱动电流:提供2.4a,吸收5a
◆自适应零贯通保护
◆高端mosfet栅极:驱动3000pf负载时,上升时间为12ns,下降时间为8ns
◆低端mosfet栅极:驱动3000pf负载时,上升时间为12ns,下降时间为5ns
◆3态pwm输入用于功率级关断
◆38v最大电源电压
◆6.2v至9.5v栅极驱动电压
◆ltc4442的uvlo为3.2v
◆ltc4442-1的uvlo为6.2v