所谓cmos (complementary mos)，是在集成电路设计中，同时采用两种mos器件：nmos和pmos，并通常配对出现的一种电路结构。cmos电路及其技术已成为当今集成电路，尤其是大规模电路、超大规模集成电路的主流技术。cmos结构的主要优点是电路的静态功耗非常小，电路结构简单规则，使得它可以用于大规模集成电路、超大规模集成电路。

下图为cmos结构的剖面示意图，为了能在同一硅材料(wafer)上制作两种不同类型的mos器件，必须构造两种不同类型的衬底，图中所示结构是在n型硅衬底上，专门制作一块p型区域(p阱)作为nmos的衬底的方法。同样地，也可在p型硅衬底上专门制作一块n型区域(n阱)，作为pmos的衬底。为防止源/漏区与衬底出现正偏置，通常p型衬底应接电路中最低的电位，n型衬底应接电路中最高的电位。为保证电位接触的良好，在接触点采用重掺杂结构。