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载流子寿命控制技术加快ST新型场效应MOS管的速度

发布时间:2008/6/2 0:00:00 访问次数:516

  意法半导体日前推出一款0n沟道场效应mos晶体管——stx9nk60zd,可用于高强度放电灯、高端镇流器和采用零压和零流开关技术的开关电源。stx9nk60zd率先采用superfredmesh新型高压工艺,由于这项先进技术在st原有的基本高压系列产品supermesh上实现了一个新载流子寿命控制过程,新器件具备良好动态性能,并优化了体二极管的反向恢复时间(trr),具有软恢复特性。所有这些都将有助于降低开关损耗。

  采用superfredmesh制造技术的器件还可以降低通态电阻,执行齐纳二极管栅保护,提高dv/dt处理能力和成本竞争力。这种器件可处理600v电压和高达7a的漏极电流,典型导通电阻rds(on) 0.85ω。stf9nk60zd可以处理最高30w的功率,而stb9nk60zd和stp9nk60zd的最高功率为120w。

  新器件的雪崩测试率为100%,目前所选封装为to-220、to-220fp和d2pak。订购10万件的美国市场单价为0.80美元(仅供参考)。

  意法半导体日前推出一款0n沟道场效应mos晶体管——stx9nk60zd,可用于高强度放电灯、高端镇流器和采用零压和零流开关技术的开关电源。stx9nk60zd率先采用superfredmesh新型高压工艺,由于这项先进技术在st原有的基本高压系列产品supermesh上实现了一个新载流子寿命控制过程,新器件具备良好动态性能,并优化了体二极管的反向恢复时间(trr),具有软恢复特性。所有这些都将有助于降低开关损耗。

  采用superfredmesh制造技术的器件还可以降低通态电阻,执行齐纳二极管栅保护,提高dv/dt处理能力和成本竞争力。这种器件可处理600v电压和高达7a的漏极电流,典型导通电阻rds(on) 0.85ω。stf9nk60zd可以处理最高30w的功率,而stb9nk60zd和stp9nk60zd的最高功率为120w。

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