标准I-V/C-V测试面临的挑战
发布时间:2008/6/2 0:00:00 访问次数:509
产品研发阶段的设计工程师采用的仿真模型,包括从s参数数据提取的rf参数和i-v/c-v数据。先进的设计工具要求的是统计模型,不是单个的一套参数。这使得良率和功能特性的最优化成为可能。如果i-v和c-v参数基于统计结果,而rf不是的话,那么这个模型就是非物理的和不可靠的。
在有些情况下,比如电感、i-v和c-v信息的价值都非常有限。但是,q在使用的频率之下,作为电感表征和控制的参数,则具有很高的价值。i-v和c-v测试中面临的挑战是要理解,什么时候它是产品特性的主要表征,什么时候不是。许多模拟和无线器件特性的只要表征参数是ft和fmax。理想的情况下,在第3谐波以外的使用情况下,它们是需要测量并提取出来的rf参数。对于数字和存储器产品,只要器件的模型保持简化,那么i-v和c-v对于有源和无源器件来说都是很有价值的测量项目。前面提到的,栅介质的测量具有复杂的c-v模型。
产品研发阶段的设计工程师采用的仿真模型,包括从s参数数据提取的rf参数和i-v/c-v数据。先进的设计工具要求的是统计模型,不是单个的一套参数。这使得良率和功能特性的最优化成为可能。如果i-v和c-v参数基于统计结果,而rf不是的话,那么这个模型就是非物理的和不可靠的。
在有些情况下,比如电感、i-v和c-v信息的价值都非常有限。但是,q在使用的频率之下,作为电感表征和控制的参数,则具有很高的价值。i-v和c-v测试中面临的挑战是要理解,什么时候它是产品特性的主要表征,什么时候不是。许多模拟和无线器件特性的只要表征参数是ft和fmax。理想的情况下,在第3谐波以外的使用情况下,它们是需要测量并提取出来的rf参数。对于数字和存储器产品,只要器件的模型保持简化,那么i-v和c-v对于有源和无源器件来说都是很有价值的测量项目。前面提到的,栅介质的测量具有复杂的c-v模型。
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